Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС)

Загрузить архив:
Файл: 015-0016.zip (55kb [zip], Скачиваний: 48) скачать

Техническое задание №6.

Схема логики ИЛИ-НЕ на биполярных транзисторах.

Технология планарно-эпитаксиальная, изоляция элементов слоем

n-полупроводника.

Элемент

Характеристика

1

R1 – R4

4,7 кОм ±20%

2

R5

3,3 кОм ±20%

3

C1 – C4

20 пФ ±20% Uраб = 4 В, диэлектрик – SiO2

4

T1 – T4

Типовый транзистор монолитных ИС, однобазовый полосковый.