Автоматизированное проектирование СБИС на базовых матричных кристаллах


	Загрузить архив:
	Файл: 240-1503.zip (13kb [zip], Скачиваний: 172) скачать

Государственный комитет по высшей школе.

Московский Государственный Институт Электроники и Математики

(Технический Университет)

РЕФЕРАТ НА ТЕМУ

АВТОМАТИЗИРОВАННОЕ ПРОЕКТИРОВАНИЕ СБИС

НА БАЗОВЫХ МАТРИЧНЫХ КРИСТАЛЛАХ

Кафедра: МЭТ

Руководитель: Фонарев

Исполнитель:Ференец

Дмитрий Александрович

Группа: АП-41

Москва, 1995 г.

Предварительные сведения.

В данном рефератерассматриваютсятехнологии, связанныес

особенностями проектирования СБИС на базовых матричных кристаллах.

Рассказывается о самом понятии базового матричного кристалла. Ана-

лизируются основные этапы автоматизированного процесса пректирова-

ния.

ПОТРЕБНОСТЬ ЭФФЕКТИВНОГО ПРЕКТИРОВАНИЯ СБИС.

СТАНДАРТНЫЕ И ПОЛУЗАКАЗНЫЕ ИС.

БАЗОВЫЕ КРИСТАЛЛЫ И ТИПОВЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ.

Характерной тенденцией развития элементнойбазысовременной

электронно-вычислительной аппаратуры является быстрый рост степени

интеграции. В этих условиях актуальной становится проблема ускоре-

ния темпов разработки узлов аппаратуры, представляющих собой БИС и

СБИС. При решении данной проблемыважноучитывать существование

двух различных классов интегральных схем: стандартных (или крупно-

серийных) и заказных. К первым относятся схемы, объем производства

которых достигаетмиллионов штук вгод.Поэтому относительно

большие затраты на их проектирование иконструирование оправдыва-

ются. Этот класс схем включаетмикропроцессоры,различного вида

полупроводниковые устройства памяти (ПЗУ, ОЗУ и т.д.), серии стан-

дартных микросхем и др. Схемы, принадлежащиековторому классу,

при объеме производства до нескольких десятков тысяч в год, выпус-

каются для удовлетворения нужд отдельныхотраслей промышленности.

Значительная часть стоимости таких схем определяется затратами на

их проектирование.

Основным средством снижения стоимости проектирования и, глав-

ное, ускорения темпов разработки новых видов микроэлектронной ап-

паратурыявляются системы автоматизированного проектирования

(САПР). В результате совместных действий конструкторов, направлен-

ных на уменьшение сроков и снижение стоимости проектирования БИС и

СБИС, появились так называемые полузаказные интегральные микросхе-

мы, в которых топология в значительной степени определяется унифи-

цированной конструкцией кристалла. Первые схемы, которые можно от-

нести к данному классу, появились в 60-хгодах.Они изготавлива-

лись на унифицированном кристаллесфиксированным расположением

функциональных элементов. При этомпроектированиезаключалось в

назначении функциональных элементов схемынаместа расположения

соответствующих функциональных элементовкристаллаи проведении

соединений. Такой кристалл получилназваниебазового, поскольку

все фотошаблоны (исключая слои коммутации)дляего изготовления

являются постоянными и не зависят от реализуемой схемы. Эти крис-

таллы, однако, нашли ограниченное применениеиз-за неэффективного

использования площади кристалла, вызванного фиксированным положе-

нием функциональных элементов на кристалле.

Для частичнойунификации топологииинтегральныхмикросхем

(ИС) использовалось также проектирование схем на основе набора ти-

повых ячеек. В данном случае унификация состояла в разработке то-

пологии набора функциональных (типовых ячеек, имеющих стандартизо-

ванные параметры (в частности, разные размеры по вертикали). Про-

цесс проектирования при этом заключался в размещении ввиде гори-

зонтальных линеек типовыхячеек,соответствующихфункциональным

элементам схемы, в размещении линеекнакристалле иреализации

связей, соединяющих элементы, в промежутках между линейками. Шири-

на таких промежутков, называемых каналами, определяется в процессе

трассировки. Отметим, что хотя в данном случае имеет место унифи-

кация топологии, кристалл не является базовым, поскольку вид всех

фотошаблонов определяется в ходе проектирования.

Современные полузаказные схемы реализуются на базовом матрич-

ном кристалле (БМК), содержащем не соединенные между собой прост-

ейшие элементы (например, транзисторы), анефункциональные эле-

менты как в рассмотренном выше базовом кристалле.Указанные эле-

менты располагаются на кристалле матричным способом (вузлах пря-

моугольной решетки). Поэтому такие схемы часто называют матричными

БИС. Как и в схемах на типовых ячейках топология набора логических

элементов разрабатывается заранее. Однако в данном случае тополо-

гия логическиго элемента создается на основе регулярно расположен-

ных простейших элементов. Поэтому в ходе проектирования логически-

мих элемент может быть размещен в любомместекристалла, адля

создания всей схемы требуется изготовить только фотошаблоны слоев

коммутации. Основные достоинстваБМК,заключающиеся вснижении

стоимости и времени проектирования, обусловлены: применениемБМК

для проектирования и изготовления широкого класса БИС; уменьшением

числа детализированных решений в ходе проектирования БИС; упроще-

ниемконтроля и внесения изменений в топологию;возможностью эф-

фективного использования автоматизированныхметодов конструирова-

ния, которая обусловлена однородной структурой БМК.

Наряду с отмеченными достоинствами БИСна БМКнеобладают

предельными для данного уровня технологии параметрами и, как пра-

вило, уступают как заказным, так и стандартным схемам.Приэтом

следует различать технологические параметры интегральных микросхем

и функциональных узлов (устройств), реализованных наэтих микрос-

хемах. Хотя технологические параметры стандартных микросхем малой

и средней степени интеграции наиболее высоки, параметры устройств,

реализованных на их основе, оказываются относительно низкими.

ОСНОВНЫЕ ТИПЫ БМК

Базовый кристалл представляет собойпрямоугольную многослой-

ную пластину фиксированных размеров, накоторойвыделяют перифе-

рийную и внутреннюю области (рис. 1). В периферийной области рас-

полагаются внешние контактныеплощадки(ВКП) дляосуществления

внешнего подсоединения и периферийные ячеики для реализации буфер-

ных схем (рис. 2). Каждая внешняя ячейка связанасодной ВКПи

включает диодно-транзисторную структуру, позволяющуюреализовать

различные буферные схемы за счет соответствующего соединения эле-

ментов этой структуры. В общем случае в периферийной области могут

находиться ячейки различных типов. Причем периферийные ячейки мо-

гут располагаться на БМК в различных ориентациях (полученных пово-

ротом на угол, кратный 90', и зеркальным отражением). Под базовой

ориентацией ячейки понимаютположениеячейки, расположеннойна

нижней стороне кристалла.

├──┐

┌──────────────┐ ├┐ │

│ Переферийная │ ├┘ │

│ ┌────────┐│ ├──┤ ВО

│ │Внутрен.│ │ ├┐ │

│ │область │ │ ├┘ │

│ └────────┘│ ├──┼─────┬─────┬─────┬───

│ область │ ПО├─┐│ ┌─┐ │ ┌─┐ │ ┌─┐ │

└──────────────┘ └─┴┴─┴─┴─┴─┴─┴─┴─┴─┴─┴────

ПЯ ВКП

рис. 1 рис 2.

Во внутренней области кристалла матричным способом располага-

ются макроячейки для реализации элементов проектируемых схем (рис.

3). Промежутки между макроячейками используютсядля электрических

соединений. Приматричномрасположении макроячеекобластьдля

трассировки естественным образом разбивается на горизонтальныеи

вертикальные каналы. В свою очередь в пределах макроячейки матрич-

ным способом располагаются внутренние ячейки дляреализации логи-

ческих элементов. Различные способы расположения внутренних ячеек

и макроячейках показаны на рис. 4.Причемнаряду сразмещением

ячеек "встык" применяется размещение с зазорами, вкоторых могут

проводиться трассы электрических соединений.

│ ┌─────── ┌─┬─┐ ┌─┬─┬─┬─┬─┬

│ └──────── a)├─┼─┤ c)├─┼─┼─┼─┼─┼─

│ ┌─────────┐┌─── └─┴─┘ └─┴─┴─┴─┴─┴─┴

│ └─────────┘└─── ┌─┬─┬─┬─┬─┬ ┌─┬┬─┬┬─┬┬─┬┬─┬┬

│ ┌─────────┐┌──── b)└─┴─┴─┴─┴─┴─ d)└─┴┴─┴┴─┴┴─┴┴─

│ └─────────┘└────

└─────────────────── Примеры структур макроячеек.

Структура ВО

рис. 3 рис. 4

Особенностью ячейки являетсяспециальное расположение выво-

дов, согласованное со структурой макроячейки.Аименно, ячейки

размещаются таким образом, чтобы выводы ячеек оказались на перифе-

рии макроячейки. Так, в одной из макроячеек выводы каждой ячейки

дублируются на верхней и нижней ее сторонах. При этом имеется воз-

можность подключения к любому выводу сдвухсторон ячейки,что

создает благоприятные условия для трассировки. Последнее особенно

важно при проектировании СБИС.

В другой макроячейке выводы ячейкирасполагаются толькона

одной стороне, т. е.выводыячеек верхнегоряданаходятся на

верхней стороне макроячейки, а нижнего --нанижней. Применение

таких макроячеек позволяет сократить требуемуюплощадь кристалла,

но приводит к ухудшению условий длятрассировки.Поэтому данный

тип макроячеек используется лишь при степени интеграции, не превы-

шаюшей 100 - 200 вентилей на кристалл. Отметим,чтов некоторых

типах БМК, кроме однотипных макроячеек, во внутренней области мо-

гут присутствовать специализированные макроячейки, реализующие ти-

повые функциональные узлы (например, запоминающее устройство).

Помимо ячеек, являющихся заготовкамидля реализации элемен-

тов, на БМК могут присутствовать фиксированные части соединений. К

ним относятся шины питания, земли, синхронизации и заготовкидля

реализации частей сигнальных соединений. Например,для макроячеек

(b) шины питания и земли проводятся вдоль верхней и нижней сторон

соответственно. Для макроячеек (a,d) шины проводятся вдоль линии,

разделяюшей верхний и нижний ряды ячеек, что приводит к уменьшению

потерь площади кристалла. Для реализации сигнальных соединений на

БМК получили распространениедвавида заготовок:фиксированное

расположение однонаправленных(горизонтальныхили вертикальных)

участков трасс в олном слое; фиксированное расположениеучастков

трасс в одном слое и контрактных окон, обеспечиваюших выход фикси-

рованных трасс во второй слой.

В первом случае для реализации коммутации проектируемой схемы

не требуется разработка фотошаблона фиксированногослоя,т.е.

число разрабатываемых фотошаблонов уменьшается на единицу. Во вто-

ром случае число разрабатываемых фотошаблонов уменьшается надва

(не требуется также фотошаблон контактных окон). Отметим,чтов

настоящее время получили распространение различные видыформыи

расположения фиксированных трасс иконтактныхокон. Целесообраз-

ность использования того или иного вида определяется типом макроя-

чеек, степеныо интеграции кристалла и объемом производства.

При реализации соединений наБМК частовозникает необходи-

мость проведения трассы через область, занятую макроячейкой. Такую

трассу будем называть транзитной. Для обеспечения такой возможнос-

ти допускается: проведение соединения через область, занятую ячей-

кой, проведение через зазоры между ячейками. Первый способможет

применяться, если в ячейке не реализуется элемент,или реализация

элемента допускает использование фиксированныхтрасси неподклю-

ченных выводов для проведения транзитной трассы.

Таким образом, в настоящее время разработано большое многооб-

разие типов БМК, которые имеют различные пераметры. При проектиро-

вании микросхем на БМК необходимо учитывать конструктивно-техноло-

гические характеристики кристалла. К ним относятся геометрические

параметры кристалла, форма и расположение макроячеек на кристалле

и ячеек внутри макроячеек, расположение шиниспособ коммутации

сигнальных соединений.

Итак, следует отметить, что задача определенияструктуры БМК

является достаточно сложной, ивнастоящее времяонарешается

конструктором преимущественно с использованием средств автоматиза-

ции.

РЕАЛИЗАЦИЯ ЛОГИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ НА БМК

Выше было показано, что БМК представляет собойзаготовку, на

которой определенным образом размещены электронные приборы (тран-

зисторы и др.). Следовательно, проектирование микросхемы можно бы-

ло бы вести и на приборном уровне. Однако этот способ ненаходит

распространения на практике по следующим причинам. Во-первых, воз-

никает задача большой размерности.Во-вторых,учитывая повторяе-

мость структуры частей кристалла илогическойсхемы, приходится

многократно решать однотипные задачи. Поэтому применение БМК пред-

полагает использование библиотекитиповыхлогических злелентов,

которая разрабатывается одновременно с конструкцией БМК.Вэтом

отношении проектирование матричных БИС подобнопроектированию пе-

чатных плат на базе типовых серий микросхем.

Таким образом, при применении БМК проектируемаясхема описы-

вается на уровне логических элементов, а каждый элемент содержится

в библиотеке. Эта библиотека формируется заранее. Она должна обла-

дать функциональной полнотой для реализации широкого спектра схем.

Традиционно подобные библиотеки содержат следующие элементы: И-НЕ,

ИЛИ-НЕ, триггер, входные, выходные усилители и др.Для реализации

элемента используется одна или несколько ячеек кристалла,т.е.

размеры элемента всегда кратны размерам ячейки. Топология элемента

разрабатывается на основе конструкции ячейки и представляет собой

совокупность трасс, которые совместно с имеющимисянакристалле

постоянными частями реализуют требуемую функцию. Именноописание

указанных соединений и хранится в библиотеке.

В зависимости от того, на каких ячейках реализуются элементы,

можно выделить внешние (согласующие усилители, буферныесхемыи

др.) и внутренние, или просто логические элементы.Есливнешние

элементы имеют форму прямоугольников независимо от типа кристалла,

то для логических элементов сушествует большое разнообразие форм,

которое определяется типом макроячеек. Так, для макроячейки, пока-

╔════════╗ ╔════════╗ ╔═══╤════╗ ╔════════╗

║ ║ ║ ║║███│ ║ ║████████║

╟────┐ ║ ╟────────╢ ║███└────╢ ║████████║

║████│ ║ ║████████║ ║████████║ ║████████║

╚════╧═══╝ ╚════════╝╚════════╝ ╚════════╝

рис. 5

занной на рис. 4(a), возможные формы элементов приведены нарис.

5. При этом следует иметь в виду, что каждая форма может быть реа-

лизована с поворотомотносительноцентра макроячейкинаугол,

кратный 90'. Для расширения возможностейнаилучшего использования

площади кристалла для каждого логического элемента разрабатываются

варианты тапологии, позволяющие его реализовать в различных частях

макроячейки. Поскольку структура макроячейкиобладает симметрией,

то эти варианты топологии, как правило, могут быть получены из ба-

зового вращением относительно осей симметрии.

При проектировании на уровне элементовсущественными данными

являются форма логического элементаирасположение еговыводов

(цоколевка).

СИСТЕМЫ АВТОМАТИЗИРОВАННОГО ПРОЕКТИРОВАНИЯ МАТРИЧНЫХ БИС

ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ ПРОЕКТИРОВАНИЯ

Задача конструирования матричных БИС состоитвпереходе от

заданной логической схемы к еефизическойреализации наоснове

БМК. При этом исходные данные представляют собой описание логичес-

кой схемы на уровне библиотечных логических элементов, требования

к его функционированию, описание конструкции БМКибиблиотечных

элементов, а также технологические ограничения. Требуется получить

конструкторскую документацию для изготовления работоспособной мат-

ричной БИС. Важной характеристикойлюбойэлектронной аппаратуры

является плотность монтажа. При проектировании матричных БИС плот-

ность монтажа определяется исходными данными.Приэтом возможна

ситуация, когда искомый вариант реализациинесуществует. Тогда

выбирается одна из двух альтернатив: либо матричная БИС проектиру-

ется на БМК больших размеров, либо часть схемы переносится на дру-

гой кристалл, т.е. уменьшаетсяобъемпроектируемой схемы.

Основным требованием к проекту является100%-наяреализация

соединений схемы, а традиционным критерием, оценивающими проект, -

суммарная длина соединений. Именно этот показатель связан с такими

эксплуатационными параметрами, как надежность, помехоустойчивость,

быстродействие. В целом задачи конструирования матричных БИС и пе-

чатных плат родственны, что определяется заранее заданнойформой

элементов и высоким уровнем унификации конструкций. Вместе стем

имеют место следующие отличия:

- элементы матричных БИС имеют более сложнуюформу(не пря-

моугольную);

- наличие нескольких вариантов реализации одногои тогоже

типа элемента;

- позиции для размещения элементов группируютсяв макроячей-

ки;

- элементы могут содержать проходы для транзитных трасс;

- равномерное распределение внешних элементов по всей перифе-

рии кристалла;

- ячейка БМК, не занятая элементом, можетиспользоваться для

реализации соединений;

- число элементов матричных БИС значительнопревышает значе-

ние соответствующего параметра печат ных плат.

Перечисленные отличия не позволяютнепосредственно использо-

вать САПР печатных плат для проектирования матричных БИС. Поэтому

в настоящее время используются и разрабатываются новые САПР, пред-

назначенные для проектирования матричных БИС, атакже дорабатыва-

ются и модернизируются уже действующие САПР печатных платдля ре-

шения новых задач. Реализация последнего способа особенно упроща-

ется, когда в системе имеется набор программ для решения задач те-

ории графов, возникающих при конструировании.

Поскольку трассировка соединений на БМКведетсяс заданным

шагом на дискретном рабочем поле (ДРП), то необходимо чтобы выводы

элементов попадали в клетки ДРП. Однако внешние выводы макроячеек

могут располагаться с шагом, не кратным шагу ДРП. Вэтомслучае

используется простой прием введения фиктивных контактных площадок,

связанных с внутренними частями ячейки. Если трасса к макроячейке

не подходит, то область фиктивной площадки остается свободной.

При разработке САПР БИС на БМК необходимоучитывать требова-

ния к системам, диктуемые спецификой решаемой задачи. К ним отно-

сятся:

1. Реализация сквозногоцикла проектированияотсхемы до

комплектов машинных документов на изготовление, контроль эксплуа-

тацию матричных БИС.

2. Наличие архива данных о разработках, хранимогона долгов-

ременных машинных носителях информации.

3. Широкое применение интерактивных режимовнавсех этапах

проектирования.

4. Обеспечение работы САПР врежиме коллективного пользова-

ния. Учитывая большую размерность залачи проектирования,

большинство существующих САПР матричных БИС реализованона высо-

копроизводительных ЭВМ. Однако в последнее времвсебольше зару-

бежных фирм применяет и мини-ЭВМ.

ОСНОВНЫЕ ЭТАПЫ ПРОЕКТИРОВАНИЯ

Процесс проектирования матричных БИС традиционноделитсяна

следующие укрупненные этапы:

1. Моделирование функционирования объекта проектирования.

2. Разработка топологии.

3. Контроль результатов проектирования и доработка.

4. Выпуск конструкторской документации.

Рассмотрим каждый шаг в отдельности. Посколькуматричная БИС

является ненастраиваемым и не ремонтоспособным объектом, то необ-

ходимо ещена этапепроектированияобеспечить егоправильное

функционирование. Достижение этой цели возможнодвумяспособами:

созданием макета матричных БИС на основедискретныхэлементов и

его испытанием и математическим моделированием. Первый способ свя-

зан с большими временными и стоимостными затратами. Поэтому макет

используется тогда, когда он специально не разрабатывается, а уже

существует (например, при переходе от реализации устройств на пе-

чатных платах к матричным БИС). Второй способ требует создания эф-

фективной системы моделирования схем большого размера, так как при

моделировании необходимоучитыватьсхемное окружениематричных

БИС, которое по числу элементов во много раз больше самой схемы.

Этап разработки топологии связан с решениемследуюших задач:

размещение элементов на БМК, трассировка соединений, корректировка

топологии. Иногда в качестве предварительного шага размещения ре-

шается специальная задача компоновки (распределения элементовпо

макроячейкам). В этом случае возможны различные методы решения за-

дачи размещения. Первый метод состоит в том, чтобы после компонов-

ки размещать группы элементов, соответствующих макроячейкам, а за-

тем размещать элементы внутри каждой макроячейки. При этом крите-

рий оптимальности компоновки вклкючаетсоставляющие, определяемые

плотностью заполнения макроячеек и связностью элементов макроячей-

ки. Достоинствами этого метода являются сокращение размерности за-

дачи размещения и сведение исходной задачи ктрадиционным задачам

компоновки и размещения. Возможность применения традиционных мето-

дов компоновки предопределяется тем, что условие существования ре-

ализации группы элементов в макроячейке для получивших распростра-

нение БМК легко выражается через суммарную площадь элементов и от-

ношение совместимости пар элементов. Отметим, что так как располо-

жение элементов внутри макроячеек существенно влияетнаусловия

трассировки соединений междумакроячейками,рассмотренный метод

решения задачи размещения для некоторыхтиповБМК можетдавать

сравнительно низкие результаты.

Другой метод размещения состоит в распределенииэлементов по

макроячейкам с учетом координат макроячеек. В этом случае входе

компоновки определяются координаты элементов с точностью до разме-

ров макроячеек и появляется возможность учета положения транзитных

трасс. Для матричных схем небольшой степени интеграции(до1000

элементов на кристалле) применяются модификации традиционных алго-

ритмов размещения и трассировки. Для СБИС на БМК необходима разра-

ботка специальных методов.

Задача корректировки топологии возникает в связи стем,что

существующие алгоритмы размещения итрассировкимогут ненайти

полную реализацию объекта проектирования наБМК.Возможна ситуа-

ция, когда алгоритм не находит размещение всех элементов на крист-

алле, хотя суммарная площадь элементовменьшеплощади ячеекна

кристалле. Это положение можетбытьобусловлено каксложностью

формы элементов, так и необходимостью выделения ячеек для реализа-

ции транзитных трасс. Задача определения минимального числа макро-

ячеек для размещения элементов сложнойформыпредставляет собой

известную задачу покрытия.

Возможность отсутствия полной трассировки обусловлена эврист-

ическим характером применяемых алгоритмов. Кроме того, вотличие

от печатных плат навесные проводники вматричныхБИС запрещены.

Поэтому САПР матричных БИС обязательно включает средства корректи-

ровки топологии. При этом в процессекорректировкивыполненяются

следующие операции: выделение линии содиняемых фрагментов; измене-

ние положения элементов и трасс сконтролемвносимых изменений;

автоматическая трассировкиуказанныхсоединений; контроль соот-

ветствия результатов трассировки исходной схеме. Уже сейчас акту-

альной является задача перепроектирования любого фрагмента тополо-

гии. Для матричных БИС таким фрагментом может быть канал для трас-

сировки, или макроячейка, в которой варьируется размещение элемен-

тов и др. Решение последней задачи, помимо реализации функций про-

ектирования с заданными граничными условиями (определяемыми окру-

жениемфрагмента), требуетразработки аппарата формирования

подсхемы, соответствующей выделенному фрагменту.

На этапе контроля проверяется адекватность полученного проек-

та исходным данным. С этой целью прежде всего контролируется соот-

ветствие топологии исходной принципиальной (логической) схеме. Не-

обходимость данного вида контроля обусловлена корректировкой топо-

логии, выполненной разработчиком, посколькуэтогпроцесс может

сопровождаться внесением ошибок. В настоящеевремяизвестны два

способа решения рассматриваемой задачи. Первый сводится к восста-

новлению схемы по топологии и дальнейшему сравнению ее с исходной.

Эта задача близка к проверке изоморфизма графов. Однако на практи-

ке для ее решения может быть полученприемлемыйпо трудоемкости

алгоритм ввиду существования фиксированного соответствия между не-

которыми элементамисравниваемыхобъектов. Дополнительная слож-

ность данной задачи связана с тем, что в процессепроектирования

происходит распределение инвариантных объектов (например, логичес-

ки эквивалентных выводов элементов),поэтомудля логически тож-

дественных схем могут не существовать одинаковые описания и, сле-

довательно,требуются специальныемодели,отображающие инвари-

антные элементы. В общем случае универсальные модели для представ-

ления инвариантных элементов не известны, что и явилосьодной из

причин развития второго способа, согласно которому проводится пов-

торное логическое моделирование восстановленной схемы.

Функционирование спроектированной схемы мотаетотличаться от

требуемого не только из-за ошибок, внесенных конструктором, но и в

результате образования паразитныхэлементов.Поэтому дляболее

полной оценки работоспособности матричных БИСпривосстановлении

схемы по топологии желательно вычислять значения параметров пара-

зитных емкостей и сопротивлений и учитывать ихпримоделировании

на логическом и схемотехническом уровнях.

Существуют причины, по которым перечисленныеметоды контроля

не позволяют гарантировать работоспособность матричных БИС. К ним

относятся, например, несовершенства моделей и методов моделирова-

ния. Поэтому контроль с помощью моделированиядополняется контро-

лем опытного образца. Для этого на этапе лроектирования с помощью

специальных программ осуществляется генерация тестов для проверки

готовых БИС. Отметим, что при проектировании матричных БИС прове-

дение трудоемкого геометрического контроля не требуется, таккак

трассировка ведется на ДРП, а топология элементовконтролируется

при их разработке.

Заключительным этапом проектирования матричныхБИСявляется

выпуск конструкторской документации, которая содержитинформацию

(на соответствующихносителях)для управлениятехнологическими

станками-автоматами и сопроводительные чертежи и таблицы, состав и

содержание которых регламентируются ГОСТами, а оформление - требо-

ваниями ЕСКД. Для автоматизированного выпуска графической и текст-

овой документации обычноразрабатываетсявходной язык,который

позволяет: компактно и наглядно описывать отдельные фрагменты до-

кумента;размещать отдельныефрагментына площадидокумента;

извлекать требуемую информацию из архива и включать ее во фрагмен-

ты документов; распечатывать требуемый документ.