Расчет характеристик канала вывода СИ (синхротронного излучения)

	Загрузить архив:
	Файл: niifp.zip (18kb [zip], Скачиваний: 62) скачать

Основные свойства синхротронного излучения.

Синхротронное излучение (СИ) испускается заряженными частицами (электронами, протонами, позитронами), движущимися с релятивистскими скоростями по искривлен­ным траекториям. Генерация СИ обусловлена наличием у частицы центростремитель­ного ускорения. Предсказанное в конце прошлого века и открытое почти 50 лет назад (1945г.) СИ рассматривалось вначале как “помеха” в работе циклических ускорителей - синхротронов. Только в последние 10¼15 лет СИ привлекло внимание исследователей исключительным богатством своих специфических свойств и возможностью их примене­ния.

Структуранакопителя электронов.

ПМ-поворотные магниты; В-магнитное поле; Р-вектор поляризации фотонов, излу­чаемых в плоскости орбиты электронов; Щ-щель канала вывода, ограничивающая ширину пучка СИ по горизонтали.

Си обладает следующими уникальными свойствами:

1.y»g^-1, где g - релятивистский фактор (отношение энергии электронов Е в накопителе к энергии покоя электрона Е₀=0.511МэВ); для типичных значений Е»1ГэВ имеем g»10³ и y»1мра¶.

2.¼100нм). Для описания спектральныхсвойств СИ вводится понятие крити­ческой длины волны l_с. Это длина волны, которая делит энергетический спектр СИ на две равные части (суммарная энергия излучаемых фотонов с длинами волн меньше l_с равна суммарной энергии фотонов с длинами волн больше l_с).

3.

4.

Перечисленные выше уникальные свойства синхротронного излучения позволяют под­нять на новый качественный уровень субмикронную микротехнологию и аналитические методы диагностики субмикронных функциональных структур.

Контраст в системах экспонирования с применением синхротронного излучения.

Рентгенолитография с применением синхротронного излучения - это многофакторный технологический процесс, в котором важную роль играют параметры многих компонен­тов литографической системы: источника излучения, канала вывода, рентгеношаблона, рентгенорезиста.

Главный фактор, определяющий потенциальные возможности того или иного лито­графического метода в микротехнологии СБИС -разрешение или минимальный размер надежно воспроизводимого в резисте элемента рентгеношаблона. В рентгенолитографии разрешение определяется, с одной стороны, волновой природой рентгеновского излучения (дифракционные искажения), с другой стороны, нелокальным характером формирования реального скрытого изображения (генерация фото- иоже- электронов рентгеновскими фотонами и вторичное экспонирование резиста этими электронами). Кроме того, реаль­ное технологическое разрешение очень сильно зависит от процесса проявления полученного скрытого изображения.

Для оценки эффективности работы рентгенолитографической системы экспонирова­ния в той или иной области спектра нужно учитывать не только спектральную эффек­тивность рентгенорезиста, но и рентгеновскую прозрачность, то есть оптические характеристики литографического канала вывода СИ. Поэтому в системах экспониро­вания с применением рентгеновского излучения (например, в рентгенолитографических системах экспонирования) одним из важных параметров является контраст получаемого рентгеновского изображения (например контраст скрытого изображения в рентгеноре­зисте).

Схема рентгенографической системы экспонирования в пучках СИ.

1-вакуумное окно; 2-мембрана рентгеношаблона; 3-маска; 4-резист; 5-рабочая пластина.