Загрузить архив: | |
Файл: vdv-0431.zip (77kb [zip], Скачиваний: 87) скачать |
УПИ – УГТУ
Кафедра радиоприёмные устройства.
по дисциплине: “ Элементная база радиоэлектронной аппаратуры “.
Вариант № 17
Шифр:
Ф.И.О
Заочный факультет
Радиотехника
Курс: 3
Работу не высылать.
УПИ – УГТУ
Кафедра радиоприёмные устройства.
по дисциплине: “ Элементная база радиоэлектронной аппаратуры “.
Вариант № 17
Шифр:
Ф.И.О
Заочный факультет
Радиотехника
Курс: 3
Работу не высылать.
Аннотация.
Целью работы является активизация самостоятельной учебной работы, развитие умений выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы полупроводниковых приборов.
Исходные данные:
Тип транзистора ………………………………………………………………… ГТ310Б
Величина напряжения питания Еп ……………………………………………... 5 В
Сопротивление коллекторной нагрузки Rк …………………………………… 1,6 кОм
Сопротивление нагрузки Rн……………………………………………………. 1,8 кОм
Схема включения транзистора с общим эмиттером, с фиксированным током базы, с резистивно- ёмкостной связью с нагрузкой.
Биполярный транзистор ГТ310Б.
Краткая словесная характеристика:
Транзисторы германиевые диффузионно- сплавные p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума высокочастотные маломощные.
Предназначены для работы в усилителях высокой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на этикетке.
Масса транзистора не более 0,1 г..
Электрические параметры.
Коэффициент шума при ƒ= 1,6 МГц, Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА не более ……………. 3 дБ
Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала
при Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА, ƒ= 50 – 1000 Гц ……………………………….. 60 – 180
Модуль коэффициента передачи тока H21э
при Uкб= 5 В, IЭ= 5 мА, ƒ= 20 МГц не менее …………………………... 8
Постоянная времени цепи обратной связи
при Uкб= 5 В, IЭ= 5 мА, ƒ= 5 МГц не более ………………………….… 300 пс
Входноесопротивление в схеме с общей базой
при Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА …………………………………………………… 38 Ом
Выходная проводимость в схеме с общей базой
при Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА, ƒ= 50 – 1000 Гц не более …………………….. 3 мкСм
Ёмкость коллектора при Uкб= 5 В, ƒ= 5 МГц не более ………………………… 4 пФ
Предельные эксплуатационные данные.
Постоянное напряжение коллектор- эмиттер:
при Rбэ= 10 кОм ……………….………………………………………… 10 В
при Rбэ= 200 кОм ……………….……………………………………….. 6 В
Постоянное напряжение коллектор- база ………………………………………... 12 В
Постоянный ток коллектора ……………………………………………………… 10 мА
Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т = 233 – 308 К ………... 20 мВт
Тепловое сопротивление переход- среда ………………………………………... 2 К/мВт
Температура перехода ……………………………………………………………. 348 К
Температура окружающей среды ………………………………………………... От 233 до
328 К
Примечание. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, при Т = 308 – 328К определяется по формуле:
PК.макс= ( 348 – Т )/ 2
Входные характеристики.
Для температуры Т = 293 К :
|
|||||||||
![]() |
|||||||||
160 |
|||||||||
![]() |
|||||||||
80 |
|||||||||
40 |
|||||||||
|
0,05 |
0,1 |
0,15 |
0,2 |
0,25 |
0,3 |
0,35 |
Uбэ,В |
Выходные характеристики.
Для температуры Т = 293 К :
Iб= 90 мкА |
![]() |
![]() ![]() ![]() мА |
||||||||
![]() ![]() |
||||||||
![]() |
||||||||
7 |
||||||||
![]() ![]() |
||||||||
![]() |
||||||||
![]() |
||||||||
|
||||||||
![]() ![]() |
||||||||
![]() |
||||||||
|
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
Uкэ,В |
Нагрузочная прямая по постоянному току.
![]() |
Построим нагрузочную прямую по двум точкам:
приIк= 0,Uкэ= Еп = 9 В,и приUкэ= 0, Iк= Еп / Rк = 9 / 1600 = 5,6 мА
мА |
|||||||||||
|
|||||||||||
![]() ![]() ![]() |
|||||||||||
|
А |
||||||||||
Iк0 |
|||||||||||
|
|||||||||||
1 |
|||||||||||
|
1 |
2 |
3 |
4 |
5 Uкэ0 |
6 |
7 |
8 |
9 Еп |
Uкэ,В |
Uкэ=4,2 В |
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
||||||||||
![]() |
||||||||||
40 |
||||||||||
Iб0 |
||||||||||
20 |
||||||||||
10 |
||||||||||
0,15 |
0,17 |
0,19 |
0,21 |
0,23 |
0,25 |
0,27 |
0,29 Uбэ0 |
0,31 |
Uбэ,В |
Параметры режима покоя (рабочей точки А):
Iк0= 3 мА, Uкэ0= 4,2 В, Iб0= 30 мкА, Uбэ0= 0,28 В
![]() |
Определим H–параметры в рабочей точке.
![]() ![]() мА |
|||||||||||
![]() ![]() ![]() |
|||||||||||
|
|||||||||||
|
ΔIк0 |
||||||||||
|
ΔIк |
||||||||||
|
|||||||||||
1 |
|||||||||||
|
1 |
2 |
3 |
4 |
5 Uкэ0 |
6 |
7 |
8 |
9 Еп |
Uкэ,В |
ΔUкэ
![]() ![]() |
||||||||||
|
||||||||||
|
ΔIб |
|||||||||
Iб0 |
||||||||||
|
||||||||||
10 |
||||||||||
0,15 |
0,17 |
0,19 |
0,21 |
0,23 |
0,25 |
0,27 |
0,29 Uбэ0 |
0,31 |
Uбэ,В |
ΔUбэ
![]() |
ΔIк0= 1,1 мА, ΔIб0 = 10 мкА, ΔUбэ = 0,014 В, ΔIб = 20 мкА, ΔUкэ= 4 В, ΔIк= 0,3 мА
![]() |
Определим G – параметры.
Величины G-параметров в рабочей точке определим путём пересчёта матриц:
![]() |
G-параметр:
G11э= 1,4 мСм,G12э= - 0,4*10 –6
G21э= 0,15 , G22э=4,1*10 –3 Ом
Определим величины эквивалентной схемы биполярного транзистора.
![]() |
![]() |
![]() |
Крутизна:
![]() |
Определим граничные и предельные частоты транзистора.
![]() |
![]() |
![]() |
![]() |
Предельная частота проводимости прямой передачи:
![]() |
Сопротивление нагрузки транзистора по переменному току:
![]() |
Нагрузочная прямая по переменному току проходит через точку режима покоя
Iк0= 3 мА, Uкэ0= 4,2 В и точку с координатами:
Iк= 0,Uкэ= Uкэ0+ Iк0*R~= 4,2 + 3*10 –3 * 847 = 6,7 В
мА |
|||||||||||
|
|||||||||||
![]() ![]() ![]() |
|||||||||||
|
А |
||||||||||
Iк0 |
|||||||||||
|
|||||||||||
1 |
|||||||||||
|
1 |
2 |
3 |
4 |
5 Uкэ0 |
6 |
7 |
8 |
9 Еп |
Uкэ,В |
Определим динамические коэффициенты усиления.
Iб2= 40 мкА |
![]() |
![]() ![]() мА |
|||||||||||
|
|||||||||||
|
А |
||||||||||
|
ΔIк |
||||||||||
3 Iк0 |
|||||||||||
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() |
|||||||||||
1 |
|||||||||||
|
1 |
2 |
3 |
4 |
5 Uкэ0 |
6 |
7 |
8 |
9 Еп |
Uкэ,В |
ΔUкэ
![]() ![]() |
||||||||||
|
||||||||||
|
ΔIб |
|||||||||
Iб0 |
||||||||||
|
||||||||||
10 |
||||||||||
0,15 |
0,17 |
0,19 |
0,21 |
0,23 |
0,25 |
0,27 |
0,29 Uбэ0 |
0,31 |
Uбэ,В |
ΔUбэ
![]() |
ΔIк= 2,2 мА,ΔUкэ= 1,9 В,ΔIб = 20 мкА,ΔUбэ = 0,014 В
![]() |
Выводы:
Данная работа активизировала самостоятельную работу, развила умение
выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы полупроводниковых транзисторов, дала разностороннее представление о конкретных электронных элементах.
Библиографический список.
1) “Электронные приборы: учебник для вузов” Дулин В.Н., Аваев Н.А., Демин В.П. под ред. Шишкина Г.Г. ; Энергоатомиздат, 1989 г..
2) “ Электронные приборы: учебник для вузов”; М.: Высш.шк., 1980г.
3) “ Электронные приборы: учебник для вузов”; М.: Высш.шк., 1969г.
4) “ Полупроводниковые приборы: транзисторы”; М.: Энергоатомиздат, 1985г..
5)
6) “ Транзисторы для аппаратуры широкого применения”; М.: Радио и связь, 1981г..