Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС)

	Загрузить архив:
	Файл: 015-0016.zip (55kb [zip], Скачиваний: 48) скачать

Техническое задание №6.

Схема логики ИЛИ-НЕ на биполярных транзисторах.

Технология планарно-эпитаксиальная, изоляция элементов слоем

n-полупроводника.

	Элемент	Характеристика
1	R1 – R4	4,7 кОм ±20%
2	R5	3,3 кОм ±20%
3	C1 – C4	20 пФ ±20% Uраб = 4 В, диэлектрик – SiO2
4	T1 – T4	Типовый транзистор монолитных ИС, однобазовый полосковый.