Расчёт и проектирование маломощных биполярных транзисторов

Используемые физические свойства полупроводника известны и используются с конца 19 века. При изобретении радио А.С. Поповым был применен порошковый когерер, в котором использовались нелинейные свойства зернистых структур. В 1923-1924 гг. Лосев О.В. обнаружил наличие отрицательного дифференциального сопротивления и явление люминесценции в точечных контактных сопротивлениях карбида кремния. В 1940 году был изготовлен первый точечный диод. В 1948 году американский физик Дж. Бардии, а также И.Браштейн разработали и изготовили точечно-контактный транзистор, в 1952 г. впервые были созданы промышленные образцы плоскостных транзисторов. В 1956 г. началось производство транзисторов с базой, полученной методом диффузии. В начале 60-х годов была применена планарная технология изготовления транзисторов. В настоящее время рабочие частоты транзисторов достигают 50 ГГц. По уровню рассеиваемой мощности транзисторы делятся на маломощные, средней и большой мощности.

2. Цель задания

Задачей выполнения курсового проекта является разработка маломощного биполярного транзистора в диапазоне, средних и высоких частот.

Целью работы над проектом является приобретение навыков решения инженерных задач создания дискретных полупроводниковых приборов, углубление знаний процессов и конструктивно технологических особенностей биполярных маломощных транзисторов.

3. ОБЩАЯ ЧАСТЬ

Техническое задание.

Техническое задание содержит требования к параметрам и условиям эксплуатации практикуемого прибора. В данном случае наиболее существенны следующие параметры:

1. I_{к ном}=9мА.

2. U_{к ном}=13В

3. f_a=90МГц

4. Р_{к мах}=60мВт

5. U_{к мах}=18В

6. I_{к мах}=12мА

7. _к
мах=74°С

8. β=65

Параметры, выбранные самостоятельно.

1. τ_ср=5мкс

2. Ge

3. p-n-p

4. _к=2пФ

5. F Х₁=1,3

6. N_бХ₂= 500

7. N_ОЭ/ N_б=3

8. h_дс= мкм

9. S_рек= слус

Перечень используемых обозначений

A_k- площадь коллектора;

А_э- площадь эмитера;

a - градиент концентрации примесей;

- отношение подвижностей электронов и дырок;

С_з.к зарядная (барьерная) емкость коллекторного перехода;

С_д.э - диффузионная емкость эмитерного перехода;

С_з.э - зарядная (барьерная) емкость эмитерного перехода;

Д_п, Д_р - коэффициенты диффузии электронов и дырок;

Д_нб, Д_об - коэффициенты диффузии не основных и основных носителей в базе;

Д_нэ, Д_оэ - коэффициенты диффузии не основных и основных носителей в эмиттере;

Е — напряженность электрического поля;

De - ширина запрещенной зоны;

¦ - частота;

¦_a - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общей базой;

¦_Т » ¦_b - граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмитером;

¦_max - максимальная частота генерации;

h_kp - толщина кристалла;

h_э, h_k — глубина вплавления в кристалл эмитера и коллектора;

L_n, L_p - средние диффузионные длины электронов и дырок;

L_нб, L_нэ средние диффузионные длины не основных носителей в базе и эмитере;

N_б, N_k, N_э — концентрации примесей в базе, коллекторе и эмитере сплавного транзистора;

N_б(х) - концентрация примеси, формирующей проводимость базы дрейфового транзистора;

N_э(x) - концентрация примеси, формирующей проводимость эмиттера дрейфового транзистора;

n_i - равновесная концентрация электронов в собственном полупроводнике;

n_n,n_p - равновесные концентрации электронов в полупроводниках n - типа и p - типа;

Р - мощность, рассеиваемая в коллекторе;

P_k
max - предельно допустимая мощность, рассеиваемая в коллекторе;

Р_э - периметр эмитера;

Р_n, Р_p - равновесные концентрации дырок в полупроводниках n -типа и p - типа;

R_б, R_э, R_к - радиусы электродов базы, коллектора, эмитера;

R_m, - тепловое сопротивление;

r_б - эквивалентное сопротивление базы;

r_б^’, r_б^’’ - омическое и диффузное сопротивление базы;

r_э - сопротивление эмитера без учета эффекта Эрле;

r_э^’ - сопротивление эмитера с учетом эффекта Эрле;

S — скорость поверхностной рекомбинации;

Т — абсолютная температура;

Т_к — температура корпуса транзистора;

Т_max - максимально допустимая температура коллекторного перехода;

W - геометрическая толщина базы;

W_g — действующая толщина базы;

U_эб - напряжение эмитер-база;

U_кб - напряжение коллектор-база;

U_kpn - контактная разность потенциалов;

U_проб - напряжение пробоя;

U_прок - напряжение прокола транзистора;

U_к - напряжение коллекторного перехода;

U_k
max - максимально допустимое напряжение на коллекторе;

I_э — ток эмитера;

I_б — ток базы;

I_ко — обратный ток коллектора при разомкнутом эмиттере;

I_kmax - максимально допустимый ток коллектора;

I_ген - ток термогенерации в области объемного заряда;

I_рек — ток рекомбинации;

a - коэффициент передачи тока в схеме с общей базой;

a_о - низкочастотное значение a;

a^* — коэффициент усиления тока коллекторного перехода за счет не основных носителей заряда;

b — коэффициент передачи тока в схеме с общим эмитером;

g — коэффициент инжекции эмитера;

б_к — толщина коллекторного перехода;

e - относительная диэлектирическая проницаемость;

c_о – коэффициент переноса не основных носителей заряда через область базы;

m_э, m_б – подвижности электронов и дырок;

m_нб, m_об – подвижности не основных и основных носителей заряда в базе;

m_нэ, m_оэ – подвижности не основных и основных носителей заряда в эмитере;

w - круговая частота;

r - удельное сопротивление полупроводника;

r_i - удельное сопротивление собственного полупроводника;

r_э, r_б, r_к - удельные сопротивления эмитера, базы, коллектора;

t_n,_p – среднее время жизни электронов и дырок

tt_np – время пролета не основных носителей заряда через базу;

t_n – среднее время жизни носителей заряда, обусловленное поверхностной рекомбинацией;

s - удельная теплопроводность;

4. Выбор технологии изготовления транзистора

Основным элементом конструкции транзистора является кристалл, или транзисторная структура кристалла, которая представляет собой полупроводниковую пластину со сформированными на ней эмиттерным (ЭП) и коллекторным (КП) переходами. Другими элементами конструкции являются корпус, кристаллодержатель, выводы.

В зависимости от технических требований предъявляемых к параметрам транзистора, применяются различные методы формирования транзисторной структуры. Низкочастотные транзисторы изготавливаются по сплавной технологии, высокочастотные – с обязательным использованием процесса диффузии примесей. Основными разновидностями технологии изготовления высокочастотных транзисторов являются: диффузионная, планарная. Чисто диффузионная технология используется для изготовления транзисторов с f_α не превышающими50-100 МГц, сплавно- и мезо- диффузионная – для диапазонов 50-100 МГц, соответственно, планарная–для f_α=0,5-5ГГц.

Так как граничная частота f_α составляет 250 МГц, то для изготовления выберем сплавно-диффузионную технологию.

4.1 Сплавно-диффузионные транзисторы.

При диффузионной технологии неоднородность эмиттерной поверхности приводит к неоднородности толщины базовой области, что ухудшает возможные частотные свойства транзистора . В сплавно-диффузионной технологии диффузией формируется лишь базовая область а КП и ЭП формируются вплавлением эмиттерной навески, под которой образуется рекристализационная зона. При этом в эмиттерную навеску вводится примесь, формирующая под эмиттером активный диффузионный слой базы. Коэффициент диффузии этой примеси должен значительно превышать коэффициент диффузии примеси, формирующей эмиттер и ЭП в рекристализационной зоне. Структура сплавно-диффузионного p-n-p транзистора изображена на рис.1.

На рис.2 приведены некоторые этапы получения сплавно-диффузионного транзистора. После получения исходной р- пластины Ge, протравливают в ней лунку, углубляясь в исходную р- пластину (рис.2.1). травление лунок осуществляется методом фотолитографии. На окислённую пластину наносят фоторезистивную плёнку, её освещают через маску ультрофиолетовым светом. Экспонированные места фоторезиста поляризуются. Незаполимеризованные части фоторезиста смывают так, что он остаётся только на облучённых местах. Затем производят травление. После получения лунки проводят щдиффузию донарной примеси (рис.2.2) затем необходимо отшлифовать поверхность исходной пластины, т.о., чтобы диффузионный слой остался лишь в лунке. Диффузиядонорной примеси приводит к образованию базового n- слоя (рис.2.3). С помощью электрохимического метода через маску вводят навески вплавляемого материала 1 и 4 (рис.2.4). Навеска 1 является эмиттерной, содержащая спал Ni + Al + In, а навеска 2- базовой.

Затем пластину помещают в печь и нагревают до температуры, близкой к температуре плавления германия (около 900˚С). При такой темпиратуре сплавы не только переходят в жидкое состояние, но имеет место диффузия примесей из жидкой фазы в прилежащую твёрдую фазу. При этом комплексный характер сплава, находится в лунках, обеспечивает одновременное образование двух слоёв: базового и эмиттерного, благодаря резко коэффициентам диффузии донарной и акцепторной примесей в германии: донарная примесь «обгоняет» акцепторную. Под эмиттерной навеской образуется р- область, которая является эмиттером (рис.2.5). Затем получеснную структуру припаивают к кристаллодержателю. Он является выводом коллектора (рис.2.6).

4.2

транзистора

Рис. 2. Структура сплавно-диффузионного p-n-p транзистора.

1,3 – выводы базы;

2 – рекристаллизационная область – эмиттер;

n – размеры кристалла;

c, d – размеры лунки;

h_кр – толщина кристалла;

R_э, R_б – радиусы выводов эмиттера и базы;

5. ОСНОВНАЯ ЧАСТЬ

Расчёт сплавно-диффузионного транзистора.

Задачи расчёта

В результате расчёта должны быть определены электрофизические и геометрические параметры транзисторной структуры, параметры эквивалентной Т-образной схемы транзистора по переменному току, его эксплуатационные параметры. Часть электрофизических и геометрических параметров при расчёте задаётся исходя из соображений номенклатурного порядка. В конце расчёта выбирается тип корпуса транзистора.

В итоге должны иметься все геометрические и электрофизические параметры, необходимые для исполнения конструкторской и основной части технологической документации. Особенно это касается состава диффузантов, навесок и припоев.

5.1

Действующая толщина базы определяется соотношением (1).

(1)

где t_пр-время пролёта базы

t_пр=(2)

где - коэффициент запаса по частоте f,

сек.

Задавшись величиной перепада концентраций примеси на границах базы х=200, выразим среднее значение концентрации примеси на границах базы по формуле (3).

(3)

Так как необходимо определить концентрацию примеси, формирующей коллекторную область

Для нахождения концентрации базы N_Б используем связь напряжения пробоя U_проб с удельным сопротивлением коллектора ρ_к:

(5)

где (6)

Удельное сопротивление коллектора рассчитывается по формуле (7)

(7)

Для выбранного нами типа структуры транзистора (Ge, p-n-p)

B=5.2,n=0.61, l=1/6 /1/

x=0.8 (для дрейфовых транзисторов). Подставим численные значения в выражение (7), а затем в (5).

₌ 0,9903 Ом*см

=12,748 В

По графику изображенному на рис3.3.1 найдём величину концентрации N_o

Определим среднее значение концентрации примеси N_Б, формирующий проводимость базы с помощью соотношений (3) и (4)

По графику, на рис 3.4.1, найдём среднее значение подвижности не основных носителей заряда в базе

Определим среднее значение коэффициента диффузии в базе, воспользовавшись соотношением (8)

(8)

где

(9)

Подставив вышеопределённые значения в формулу (1), найдём действующую толщину базы.

Величина концентрации примеси, формирующей проводимость базы, на поверхности кристалла N_Б(0) определится из соотношения (10)

(10)

где х_1Б=0,2 мкм

α_Б- коэффициент передачи тока с общей базой (11)

^-4

Подставим численные значения в выражение (10)

Задавшись величиной отношения N_оэ/N_б(0), найдём концентрацию эмиттерной примеси.N_оэ/N_б(0)=3.

Из соотношения (12) выразим концентрацию основных носителей эмиттера. N_оэ=3*N_б(0)

N_оэ=3* ¹⁸ см^-3

Проверим не превышает ли расчётное значение напряжения пробоя коллекторного перехода U_пр величину напряжения прокола транзистора U_прок, которое рассчитывается по формуле (13)

(13)

где
где: (14)

Подставляя численные значения в формулы (14) и (13), найдём величину напряжения прокола транзистора.

Значение напряжения пробоя коллекторного перехода (U_пр=12.748) не превышает величину напряжения прокола транзистора U_прок=240,0092 В

(U_прок>> U_пр)

Вычислим среднее значение удельного сопротивления области базы по формуле (15)

(15)

По графику приведённому на рис. , определим среднее значение подвижности основных носителей заряда в базе

Ом*см

5.2

Задача: для рассчитанного W_q определить коэффициент передачи тока a₀ и сравнить его с требуемым.

Коэффициент передачи тока можно записать как:

a₀=g₀c₀a^* (16).

Далее, рассчитываем коэффициент инжекции g₀:

g₀=1 (17).

Для его определения необходимо найти:

L_нб= (18),

g₀=0.996913.

Далее находим коэффициент переноса ННЗ через базу:

c₀= 1 - (19).

Теперь необходимо рассчитать коэффициент усиления ННЗ в коллекторе по формуле:

a^*= 1 + (20),

a^*@ 1.

и, наконец, мы можем рассчитать a₀:

a₀= g₀c₀a^*= 0.9905917

5.3

Задача: Определить барьерные (зарядные) емкости и величины поверхности коллекторного и эмитерного переходов, а так же геометрические размеры полупроводниковой пластины, в которой формируется транзисторная структура.

1. Зарядная емкость коллекторного перехода. C_зк и величина поверхности коллекторного перехода S_к:

Коллекторный переход плавный, поэтому:

C_зк= S_к(21).

Известно, что:

C_зк= 2_*10^-12 пФ и S_к = 2.678418_*10^-4 см².

Исходя из данных значений C_зки найдено максимальное значение S_кmax. Можно считать, что:

S_к_max = 0.9 c d (22).

Задаемся значением p = 150_*10^-4 см.

Добавив к нему 250 мкм находим с

с = (250 + 150)_*10^-4 = 400_*10^-4см

1. Зарядная емкость эмитерного перехода. C_зэ и величина поверхности эмитерного перехода S_э:

Эмитерный переход резкий, поэтому:

C_зэ= S_э(23).

Для нахождения C_зэнеобходимо найти j_крп и А_э:

j_крп = j_т= 0.5136617В (24),

S_э = I_k (25).

Задаемся величиной U_эб = 0.2313273В, соответствующей

S_э = 3.769911_*10^-5см².

Теперь можно рассчитать C_зэпо формуле (26):

C_зэ=1,677762_*10^-11Ф.

3. Размеры эмитера и базы.

Размеры металлических выводов определяются величиной S_э и и глубиной вплавления электрода в кристалл h_э:

R_э = - h_э + (26).

Величина h_э выбирается в пределах h_э = 10..30мкм, выбираем h_э = 20мкм.

R_э = 20мкм.

Для центрального расположения выводов R_э = R_б, R_б = 20мкм.

5.4

Задача: определение сопротивлений эквивалентной схемы, дифференциальных, диффузионных и омических сопротивлений ЭС транзистора.

Рис. 3. Эквивалентная схема транзистора в схеме с ОБ.

1. Дифференциальное сопротивление эмитера:

(27),

= 1,438889 Ом.

2. Сопротивление базы есть сумма омического сопротивления и диффузионного сопротивлений, а также сопротивления растекания базового контакта

(28).

Сопротивления можно найти по формуле:

(29),

Для центрального расположения

(30),

Для центральной части выводов эмиттера и базы:

(31),

где = 0.004245Омсм,

Диффузионное сопротивление учитывающее внутреннюю обратную связь в транзисторе за счет эффекта Эрли равно:

(32),

= 110,3175

Для сплавно-диффузионных транзисторов << не учитывается:

= 36 Ом.

3. Сопротивление коллектора.

Задача: определить диффузионное и омическое сопротивление коллектора.

Для плавного коллекторного перехода:

(33),

где параметр L_ok находится по формуле:

= 9.84 10^-3 см (34),

= 1,932747_*10^-4 мкм (35),

r_k = 3,232326_*10⁷ Ом,

= 2,475851 Ом.

4. Граничные частоты.

Определив величины зарядных емкостей переходов и сопротивлений ЭС, зная время пролета базы ННЗ можно найти величину f_a:

f_a = [2p(t_пр + С_зэ r_э + С_зк r_б^’)]^-1 (36),

где, r_э=1,438889, С_э=1,677762_*10^-11

f_a = 103,7305 МГц.

Найдём величину максимальной частоты генерации, воспользовавшись выражением (37):

f_max = (37),

f_max = 150,7364 МГц.

Рассчитаем граничную частоту коэффициента передачи тока в схеме ОЭ по формуле (38)

МГц.(38)

5.5

Задача: определить обратный ток коллекторного перехода I_к.обр.

Обратный ток коллекторного перехода состоит из 3^х компонент: теплового тока; тока термогенерации; тока обусловленного рекомбинацией на поверхности базы:

I_к.обр = I_ко + I_ген + I_рек.б (39).

1. ^х компонент:

I_ко = I_коб + I_кок (40).

Здесь токи I_коб и I_кок токи ННЗ, попадающих в переход из областей базы и коллектора соответственно:

(41),

(42).

I_коб = 8,450151_*10^-9 А,

I_кок = 1,46633_*10^-7 А,

I_ко = 1,658616_*10^-7 А.

2. _ген при заданном напряжении на коллекторном переходе много больше j_k:

I_ген = (43),

I_ген = 2.63 10^-7 А.

3. _рек.б пропорционален величине поверхности, на которой происходит рекомбинация. В данном случае эту роль играет верхняя часть поверхности диффузионного слоя А_n:

А_n = (p - d) + pd² (44).

Скорость поверхностной рекомбинации S = 900 см/с

(45),

I_рек = 9 10^-8А.

Далее по формуле (39) находим I_к.обр:

I_к.обр = 7,715074_*10^-7 А.

5.6

Задача: Определение величины I_kmax илиP_kmax, а также толщины кристалла – заготовки и других элементов кристаллической структуры.

Тепловое сопротивление R_T связывает перепад температур DT между коллекторным переходом и окружающей средой с мощностью, рассеиваемой в переходе Р_к:

DT = R_T Р_к = R_T U_к I_к (46).

Тепловое сопротивление корпуса R_Tк = 0.1 К/мВт.

Тепловое сопротивление транзисторной структуры R_TСТ:

R_T = R_T_СТ + R_T_к (47).

R_T находим из формулы (46)

R_T = DT/ Р_к = 0,783334 К/мВт.

DT = T_k.max – T_окр.ср = 70 – 25 = 45^о.

Из соотношения (47) находим R_TСТ:

R_T_СТ = R_T - R_T_к = 0,683333 К/мВт.

R_TСб = (48),

R_TСб = 0,06578575_*4,16=0,2704 К/мВт.

R_т=R_TCT+ R_ТК= 0,27+0,1=0,37 К/мВт.

5.7

5.7.1Максимальная расчётная мощность находится по формуле (49)

(49)

мВт

5.7.2 Uк max =,(50)

Где: - удельное сопротивление коллектора Ом_*см

- низкочастотное значение коэффициента передачи тока в схеме с общей базой,

Uк max=15,565 В.

5.7.3 I_к_max ищется из соотношения (51)

I_к_max= (51)

Подставляя в формулу (51) рассчитанные значения U_к_maxи P_к_max

I_к_max=7,812399 мА

Упрощённая структурная схема для расчёта тепло отвода дрейфового транзистора.

Рис. 4

6.Выбор корпуса транзистора

Конструктивно корпус состоит из двух основных элементов: основания и баллона. Основание включает в себя: фланец, изолятор и выводы. Баллон представляет собой чашечку с буртиком. Для маломощных биполярных транзисторов наиболее подходящие металостеклянные корпуса типов КТ-1 и КТ-2.

Корпус КТ-1, металлостеклянный, герметизируемый электроконтактной сваркой. Фланец основания представляет собой металлическую чашку, заполненную стеклом (изолятор), через которое проходят выводы, имеющие буртик для герметизации электроконтактной сваркой. Корпус имеет корпусной вывод, который приварен ко дну фланца. Баллон корпуса представляет собой полый цилиндр с дном, который надевается на наружный диаметр чашки фланца.

Такая конструкция полностью гарантирует отсутствие попадания выплесков при сварке внутрь рабочего объема корпуса. Данный корпус обладает высокой надежностью за счет удачной конструкции металлостеклянного изолятора, имеющего большую протяженность спая, и относительно большого объема стекла, размещенного внутри полого металлического фланца, фланец корпуса и выводы изготавливаются, как правило, из сплава 29НК (ковар), стекла марки С48-2. Заготовка стекла представляет собой таблетку с отверстиями. Баллон изготавливается из стали или никеля. Металлические детали корпуса в зависимости от типов транзисторов, для которых может быть применен этот корпус, покрываются никелем или золотом, а наружные концы выводов облуживаются. Сам корпус после герметизации для защиты от внешних климатических воздействий может иметь гальваническое или лакокрасочное покрытие.

В этом корпусе как у нас, так и за рубежом выпускается много типов маломощных транзисторов с рабочими частотами до 1,5 ГГц, предназначенных как для бытовой, так и для специальной аппаратуры.

Возможность монтажа в корпусе планарного или сплавно-диффузионного перехода, то есть кристалл припаивается коллекторным выводом непосредственно к фланцу, и корпус является коллекторным внешним выводом. При этом максимальные размеры кристалла могут быть 1,8х1,8 мм. Конструкция корпуса позволяет производить напайку кристалла как мягкими припоями, так и эвтектическими припоями золото-кремний и золото-германий. Возможность монтажа кристалла, когда необходимо, чтобы он был электрически изолирован от корпуса или когда необходимо иметь малые значения емкости коллектор - база С_к. В этом случае напайка кристалла производится непосредственно на один из изолированных выводов корпуса, конец которого расплющен и лежит на стекле изолятора. Это позволяет иметь значение С_к в корпусе около 0,3 пф.

Конструкция этого корпуса позволяет удобно монтировать транзистор в аппаратуре. Наличие гибких выводов и строгая цилиндрическая форма баллона позволяет монтировать транзистор непосредственно на печатную плату или фиксировать его в специальном гнезде. Кроме того, строгая цилиндрическая форма баллона позволяет надевать в случае необходимости специальный теплоотводящий элемент, улучшая тем самым отвод тепла от прибора и увеличивая рассеиваемую мощность транзистора.

Корпус КТ-2, (TO-5 - зарубежное обозначение), металлостеклянный, герметизируемый электроконтактной сваркой, аналогичен по своей конструкции корпусу КТ-1 и имеет только несколько большие размеры. Его конструкция обладает такой же надежностью, отличается такой же простотой и технологичностью конструкции, как и корпус КТ-1. В этом корпусе можно монтировать все существующие типы переходов маломощных транзисторов, а также кремниевые транзисторы средней мощности (до 5Вт) при условии использования дополнительного теплоотвода.

Возможность монтажа в корпусе планарной или сплавно-диффузионной структуры показана, когда кристалл своим коллекторным электродом напаивается непосредственно на фланец основания. При этом кристалл может иметь максимальные размеры 3,5 х 3,5 мм.

Возможность монтажа в корпусе планарной или сплавно-диффузионной структуры, когда ее необходимо электрически изолировать от корпуса. В этом случае кристалл напаивается на один из изолированных выводов, конец которого расплющен.

Вариант монтажа в этом корпусе славного перехода с кристаллом размером 2,6х2,6 мм с помощью кристаллодержателя. Этот корпус, так же как и КТ-1, удобен для монтажа в нем всех типов кристаллов, монтажа транзисторов в аппаратуре, позволяет легко надевать на цилиндрическую часть баллона дополнительный теплоотвод.

Данный корпус нашел широкое применение за рубежом как для маломощных и средней мощности (до 5 Вт) транзисторов, так и для интегральных схем. Недостатком корпусов КТ-1 и КТ-2 является возможность газовыделения во внутренний объем корпуса при герметизации. Это недостаток всех горячесварочных корпусов, но он преодолевается применением защиты сплавных и сплавнодиффузионных структур различными лаками, компаундами, цеолитом.

7.Обсуждение результатов

1. Коэффициентпередачи тока в схеме с ОЭb = 65, рассчитанное значение b=150,7364. Данный биполярный транзистор в схеме с ОЭ обеспечит заданный коэффициент передачи тока.

2. Граничные частоты коэффициента передачи тока f_a= 90 МГц, рассчитанное значение f_a= 103,73 МГц. При работе биполярного транзистора на частоте до f_aкоэффициент передачи тока в схеме с ОБ будет удовлетворять заданному значению.

3. Заданное максимальное напряжение на коллекторе техническое значение: U_{k max} = 18В, рассчитанное значение U_{k max} = 17.565 В.

В соответствии с формулами (5) и (50) U_{k max}зависит от величин (1-α_о) и ρ_к. Первоначально U_{k max}было расчитанно для α=03986, тогда как при расчёте U_{k max} по формуле α бралось равным α=0,991. Отсюда следует, что (1-α)^еуменьшилось, и рассчитанное значение оказалось меньше U_{k max}из ТЗ.

4. Максимальная мощность, рассеиваемая в коллекторе P_k_max =60мВт, рассчитанное значение P_k_max = 60 мВт.

5. Максимальный ток коллектора I_{k max} = 12 мА, рассчитанное значение I_k
max = 12 мА. При работе биполярного транзистора максимальный ток коллектора будет соответствовать заданному значению.

В ходе проделанной работы были приобретены практические навыки решения задачи создания дискретных полупроводниковых приборов.

8. Выводы:

В ходе проделанной работы были приобретены практические навыки решения инженерных задач создания дискретных полупроводниковых приборов.

Нами были выбраны и рассчитаны основные параметры транзистора. Расхождения (в сторону ухудшения) составляют не более %

Нами также были выбраны технология изготовления транзистора, его корпус и материалы, применяемые в призводстве.

9. Список используемой литературы

1.В.И. Торопчин, Расчет и проектирование маломощных биполярных транзисторов, Саратов, 1988г, 213с.