Название	Расчет транзисторных усилителей
Количество страниц	22
ВУЗ	СевНТУ
Год сдачи	2009
Содержание	Введение Для расчета транзисторных усилителей используются два способа: графоаналитический и аналитический. При графоаналитическом методе необходима информация о входных и выходных характеристиках транзистора (по справочнику). Аналитический метод расчета вытекает из теории полупроводниковых приборов и является приближенным. Однако на практике данный метод дает вполне удовлетворительные результаты. Гальваническая развязка информационных сигналов применяется в системах управления для исключения электрической (гальванической) связи между источниками управляющего и исполнительного сигналов. Данная задача сводится к электрическому разделению общих проводов источника и приемника информации за счет обеспечения информационной связи между ними с помощью дополнительного (например, оптического) канала. При использовании оптического канала связи для гальванической развязки применяются, оптоэлектронные преобразователи, (ОЭП), в качестве которых используются диодные и транзисторные оптопары (оптроны). Фотоприемник диодной оптопары (фотодиод) может работать в генераторном и параметрическом режимах. Фотоприемником транзисторной оптопары является фототранзистор, обладающий внутренним усилением фототока базы. Источники электропитания (ИЭП) должны обеспечить требуемую мощность в нагрузке, допустимый уровень пульсаций выходного напряжения и необходимую полярность последнего. В качестве нагрузки ИЭП могут выступать различные устройства. Элементы автоматики и исполнительные устройства производственного оборудования (реле, пускатели, электромагниты, вибраторы, электродвигатели и т.п.) в ряде случаев питаются от трехфазной сети переменного тока частоты , равной 50 Гц (с фазным напряжением , равным 220 В, линейным напряжением , равным 380 В), а в ряде случаев - от однофазной сети с фазным напряжением =220В, либо от источника постоянного тока с напряжением =12, 24, 36 В. Интегральные операционные усилители (ОУ) обычно питаются биполярным напряжением Еп=±(5...15) В±1%. В цифровых ТТЛ-структурах сигналу логической единицы соответствует уровень напряжения U1=(2,5...4,5) В, а сигналу логического нуля - уровень напряжения U0=(0,3...0,4) В; в В МОП-структурах U1=Eп, U0 < Еп. Цифровые микросхемы структуры ТТЛ питаются напряжением Eп=+5В±0,1%, а микросхемы МОП-структуры - напряжением Еп=(5...25) В±0,25%. Информационные устройства питаются от стабилизированного источника постоянного тока с напряжением = (5...24) В. Расчет усилителя с общим коллектором 1. Выбор транзистора (по индивидуальному заданию) Выбор транзистора осуществляется по типу проводимости и по параметру . (h21э- статический коэффициент передачи тока базы для различных транзисторов  лежит в диапазоне 10…150). Выберем транзистор типа МП27. Епит=5 В, RH=39 OM, IЭМ=3,9 мA, fвх.с=839 Гц Из стандартного ряда RН=39 OM 2. Расчет емкости разделительного конденсатора на выходе ЭП 3. Расчет резистора в цепи эмиттера 4. Расчет эквивалентного сопротивления нагрузки ЭП переменному току 5. Расчет входного сопротивления ЭП Rвх.эп 6. Расчет сопротивлений делителя в цепи базы 6.1 Расчет потенциала базы 6.2 Выбор сопротивления R2 6.3 Расчет тока делителя Iд 6.4 Расчет сопротивления R1 6.5 Расчет мощности резисторов делителя 7. Расчет эквивалентного входного сопротивления ЭП переменному току 7.1 Расчет проводимости делителя R1, R2 на переменном токе g12 7.2 Расчет входной проводимости ЭП Gвх.эп 7.3 Расчет эквивалентной входной проводимости ЭП Gвх.экв 7.4 Расчет эквивалентного входного сопротивления ЭП Rвх.экв 8. Расчет разделительного конденсатора С1 в цепи базы транзистора 9. Расчет статического коэффициента передачи по напряжению РАСЧЕТ БЛОКА ОПТРОННОЙ РАЗВЯЗКИ Исходными данными для проектирования БОР являются электричес¬кие параметры нагрузки (номинальные напряжение, ток, мощность или ее производные), а также параметры сигнала управления. Параметрами нагрузки определяется схема буферного устройства БОР, а параметрами сигнала управления - схема блока управле¬ния фотоизлучателем оптопары. Расчет электронных схем проводится в направлении «с выхода на вход». Расчет буферного устройства Дано: U=24B, I=1,25A, f=50Гц, U=220B, I=2,8A Расчет ФВЧ с наклоном +40 дБ/дек Расчет источников электропитания Расчет пассивного сглаживающего фильтра Исходные данные: RH=40 Oм Расчет стабилизированного источника питания Порядок расчета Выпрямитель - мостовой Дано: Uo=5B, Io=0,25А, KП=0,15, fc=50Гц Расчет пассивного сглаживающего фильтра Расчет стабилизатора К142 ЕН3,4 Компенсационные интегральные стабилизаторы
Список литературы	Заключение В ходе данной курсовой работы были спроектированы и рассчитаны: - Блок питания со стабилизированным и нестабилизированным напряжениями; - Блок оптронной развязки; - Фильтр высоких частот с наклоном АХЧ +40дБ/дек; - Транзисторный усилитель с общим коллектором. Для них составили принципиальные электрические схемы, выполненные в графической части настоящей работы, в соответствии с требованиями ГОСТ-ов и ЕСКД. Согласно ЕСКД по проектированию электрических схем, после окончания их расчета составляется перечень элементов принципиальной электрической схемы (по аналогии со спецификацией механических устройств). Для составления перечня элементов проектируемого усилителя, элементы его принципиальной схемы необходимо пронумеровать с использованием буквенно-цифровой системы обозначений, принятой в ГОСТ. С  конденсаторы; D  микросхемы; DA  аналоговые микросхемы; DD  цифровые микросхемы. L  индуктивности; R  резисторы; VD  полупроводниковые диоды; VT  транзисторы. Нумерация элементов принципиальной схемы осуществляется в направлении «сверху вниз» и «слева направо». БИБЛИОГРАФИЯ 1. Алексенко А.Г., Шагурин И.И. Микросхемотехника.-М.: Радио и связь, 1982.-416 с. 2. Гутников В.С. Интегральная электроника в измерительных устройствах. -Л.: Энергоатомиздат, 1988. - 304 с. 3. Кофлин Р., Дрискол Ф. Операционные усилители и линейные интегральные схемы. -М.: Мир, 1979. - 360 с. 4. Терещук Р.М., Терещук К.М., Седов С.А. Полупроводниковые приемно - усилительные устройства: Справочник радиолюбителя. -К.: Наукова думка, 1989. - 800 с. 5. Титце У., Шенк К. Полупроводниковая схемотехника. – М.: Мир, 1982. – 512 с. 6. Хоровиц П., Хилл У. Искусство схемотехники, т.1 – М.: Мир. 1984. – 598 с. 7. Шило В.Л. Линейные интегральные схемы. – М.: Советское радио, 1979. – 366 с.
Цена:	Договорная