Название	Отчет по вычислительной практике
Количество страниц	14
ВУЗ	Севастопольский национальный технический университет
Год сдачи	2009
Содержание	Задача 1 3 Температурная зависимость ширины запрещённой зоны Ge. Задача 2 4 Температурная зависимость концентрации свободных носителей. Задача 3 5 Построение семейства графиков зависимости концентрации носителей заряда от температуры и от концентрации примеси в донорном полупроводнике Задача 4 6 Температурная зависимость уровня Ферми для примесного полупроводника. Исходные данные. Задача 5 7 Построение семейства графиков зависимости подвижности электронов и дырок от температуры и концентрации примеси . Исходные данные. Задача 6 9 Построение графика зависимости проводимости от температуры и от концентрации примеси. Задача 7 10 Построение семейства графиков зависимости концентрации дырок от температуры и от концентрации примеси. Задача 8 12 Коэффициент Холла для полупроводника с двумя типами носителей заряда. Контрольная работа. 12 Зависимость времени релаксации носителей заряда при рассеянии их на ионах примеси Список литературцы 14
Список литературы	1. Х. Кухлин «Справочник по физики» Москва «Мир»-1982 – 520с. 2. Шалимова К.В. «Физика полупроводников» Москва «Энергия» 1976- 416с. 3. Яворский Б. М., Детлаф А. А. «Справочник по физике» Москва 1974-942с.
Цена:	Договорная