Название	Моделирование и исследование транзисторного усилителя с общим эмиттером
Количество страниц	8
ВУЗ	Севастопольский национальный технический университет
Год сдачи	2009
Содержание	Цель работы: Расчет параметров транзисторного усилителя с общим эмиттером (рисунок 1). Моделирование устройства в среде «CIRCUITMAKER» и исследование технических характеристик схемы. Таблица 1- Технические параметры усилителя № Характеристические параметры Значения 1 Проводимость транзистора: «npn» 2 Напряжение питания (В) 19 3 Сопротивление нагрузки (кОм) 719 4 Коэффициент передачи тока базы транзистора 19 5 Коэффициент усиления по напряжению Кu 19 6 Ток эмиттера транзистора в статическом режиме (мА*10-1) 19 7 Нижняя частота входного сигнала (Гц) 719 Ход работы: Расчет усилителя с общим эмиттером 1. Выбор транзистора 2. Расчет емкости разделительного конденсатора на выходе 3. Расчет тока коллектора 4. Расчет сопротивления в коллекторной цепи транзистора 5. Расчет эквивалентного сопротивления нагрузки переменному току 6. Расчет сопротивления в цепи эмиттера 7. Расчет входного сопротивления транзистора со стороны базы 8. Расчет резистивного делителя в цепи базы транзистора на постоянном токе 9. Расчет резистивного делителя в цепи базы транзистора на переменном токе 10. Расчет входного сопротивления усилителя с ОЭ 11. Расчет входного конденсатора в цепи базы транзистора 12. Расчет коэффициента усиления Обработка результатов Вывод: Схема с ОЭ является усилителем мощности входного сигнала. В данной схеме входной и выходной сигналы находятся в противофазе (сдвиг по фазе на угол ). Усилитель с ОЭ обладает сравнительно низким входным сопротивлением и достаточно высоким выходным сопротивлением (импедансом). Вместе с этим схема с ОЭ обеспечивает усиление, как по току, так и по напряжению. Для обеспечения заданного коэффициента усиления по переменному току в схеме с ОЭ резистор Rэ в эмиттерной цепи транзистора шунтируется конденсатором Сэ.
Список литературы
Цена:	Договорная