Название	Моделирование и исследование транзисторного ключа
Количество страниц	10
ВУЗ	Севастопольский национальный технический университет
Год сдачи	2009
Содержание	Цель работы: Моделирование транзисторного ключа в среде «CIRCUITMAKER». Исследование характеристик транзисторного ключа по схеме с общим эмиттером. Таблица 1- Технические параметры транзисторного ключа № Характеристические параметры Значения 1 Проводимость транзистора «npn» 2 Напряжение питания (В) 19 3 Коэффициент передачи тока базы транзистора 19 4 Ток эмиттера транзистора в статическом режиме (мА*10-1) 19 5 Нижняя частота входного сигнала (Гц) 719 6 Рабочая температура ( ) 19 Ход работы: Расчет транзисторного ключа 1. Выбор транзистора по параметрам: Iк.max; ; Uост; Uкэ.max. 2. Выбор тока эмиттера Iэ. 3. Расчет температурного потенциала т 4. Расчет сопротивления вывода эмиттера rэ 5. Расчет параметра а 6. Расчет тока коллектора Iк: 7. Расчет тока базы Iб: 8. Расчет сопротивления в цепи коллектора Rк: 9. Расчет мощности резистора нагрузки Rк: 10. Расчет входного сопротивления транзистора в схеме с общим эмиттером : 11. Расчет ограничивающего резистора Rб 12. Проверочный расчет напряжения питания Епр: Обработка результатов Вывод: Транзисторный ключ относится к релейным устройствам автоматизации. Эти устройства работают по принципу реле: замкнут – разомкнут; включен – выключен; логическая «1» - логический «0». Переход из одного состояния в другое происходит скачком. Для реализации релейной функции преобразования используются электронные ключи на биполярных и полевых транзисторах. С помощью транзисторного ключа коммутируются электрические цепи одной мощности посредством управляющих сигналов другой мощности. В схеме с ОЭ транзистор работает в ключевом (релейном) режиме. Сопротивление в коллекторной цепи транзистора (нагрузка ключа) ограничивает ток коллектора в режиме насыщения. Сопротивление ограничивает ток базы, за счет чего увеличивается входное сопротивление транзисторного ключа в целом. Для насыщения транзистора необходимо, чтобы напряжение между базой и эмиттером превышало статический потенциал эмиттерного pn–перехода . Таким образом, транзисторный ключ с ОЭ выполняет операцию инверсии (изменяет фазу выходного сигнала относительно входного на угол ).
Список литературы
Цена:	Договорная