Доклад по физике на тему ДИФФУЗИЯ УСУЛИ БИЛАН ЭЛЕКТРОН-КОВАК ЎТИШНИ ?ОСИЛ ?ИЛИШ
ДИФФУЗИЯ УСУЛИ БИЛАН ЭЛЕКТРОН-КОВАК ѕТИШНИ bОСИЛ JИЛИШ
Диффузия усули яримтказгичларга киришмавий атомлар киритишда, яримтказгичларнинг электрофизик хоссаларини маKсадли бошKаришда, электрон-ковак тишларни cосил Kилишда электроника ва микроэлектроника саноатида, илмий тадKиKотларда кенг Kлланилади. Диффузия усулининг яримтказгичларни легирлашнинг бошKа усулларига нисбатан бир Kанча афзаллик томонлари мавжуд:
1. Деярли ихтиёрий юзада юKори сифатли электрон-ковак тишни олиш мумкин.
2. Диффузия ускуналари жуда содда блиб, жараённи бошKариш осон ва содда математик моделлар асосида диффузия чуKурлигини тезда аниKлаш мумкин.
3. Диффузия усули электрон-ковак тишни олишда бошKа усулларга нисбатан Kулай усулдир.
Диффузия усули режалаштирилган яримтказгич асбоблар электрик тавсифномаларини деярли згартирмаган cолда олишга имкон беради. Ушбу усул асосан германий ва кремний асосида электрон асбоблар ясашда кенг Kлланилади.
Лекин жараённинг юKори температурада олиб борилиши диффузия усулининг камчилиги cисобланади. Чунки юKори температурада яримтказгичларга бегона – бошKарилиши Kийин, тез диффуффузияланувчи киришмавий атомлар материал cажмига кириб Kолади, унда нуKтавий ва бошKа нуKсонлар cосил блади. Бу эса электрон-ковак тишни олишда Kшимча Kийинчиликлар туCдиради.
Модда концентрациясининг камайиши йналиши бйича атомларнинг тартибсиз иссиKлик cаракати диффузия деб аталади. Диффузия жараёни модданинг барча агрегат cолатларида кузатилади. ФаKат модданинг турли агрегат cолатларида диффузия тезлиги турлича блади. JаттиK жисмларда зарралар орасидаги боCланиш кучли блгани учун ушбу жараён газлардагига нисбатан минглаб марта секин содир блади.
Яримтказгичларда диффузия икки хил блади:
1. Кимёвий мувозанат cолатида блган кристаллдаги диффузия, яъни здиффузия;
2. Кимёвий мувозанат cолатида блмаган, кимёвий потенциал градиенти ортган кристаллдаги диффузия, яъни гетеродиффузия.
Кристалл панжарадаги диффузия жараёни атомларнинг бир мувозанат cолатидан иккинчи cолатга сакраши билан тавсифланади. Бундай сакраш узунлиги кристалл панжара доимийси тартибида блади. Агар KаттиK жисмда бирор бир элемент атомларининг концентрация градиенти cосил блса, у cолда бутун cажм бйича бу атомлар сонини тенглаштиришга йналган диффузия cаракати вужудга келади.
JаттиK жисмларда диффузия туфайли концентрациянинг тенглашиш жараёни фаKатгина юKори температураларда сезиларли амалга ошади. Ушбу cолда зарраларнинг cаракат тезлиги кескин ортади. Паст (хона) температураларда эса KаттиK жисмларда диффузия жараёни умуман олганда содир блмайди.
Атомларнинг з жойидан сакрашининг асосан уч хил механизми мавжуд:
1. Тугунлардаги атомларнинг заро рин алмашиниши мумкин (1а-расм).
2. Атомлар кристалл панжаранинг бш тугунлари (вакансиялар) бйича cаракат Kилиши мумкин (1б-расм).
3. Атомлар тугунлараро cаракат Kилиши мумкин (1в-расм).
13 EMBED PBrush 1415
1-расм.
Кристалл панжара тугунларида жойлашган атомлар з мувозанат вазиятлари атрофида узлуксиз равишда тебраниб турадилар. ЮKори температураларда бу атомларнинг баъзилари мувозанат вазиятида ушлаб турувчи потенциал тсиKни енгишга етарли блган энергияни cосил Kилади. Натижада бундай атомлар кристалл панжара тугунларидаги мувозанат cолатларидан тугунлараро номувозанат cолатга тадилар. Ушбу cолда Френкель нуKсонлари (2а-расм) юзага келади (тугунлараро атом + вакансия (бш тугун) комплекси).
Баъзи cолларда иссиKлик тебранишлари cисобига юзадаги атомлардан бири з мувозанат cолатидан номувозанат cолатга тади ва у кристалл билан фаKат Kисман боCлиK блиб Kолади. Ушбу cолда Шоттки нуKсонлари (2б-расм) cосил блади. ИссиKлик тебранма cаракати натижасида Френкель ва Шоттки эффекти бйича cосил блган вакансиялар Kшни атомлар билан осон рин алмашинади. Бунинг натижасида улар тугунлараро cаракат Kилади.
13 EMBED PBrush 1415
2-расм.
ИссиKлик мувозанати шароитида кристаллда маълум миKдорда вакансиялар концентрацияси мавжуддир. Уларнинг концентрацияси температура бйича экспоненциал Kонун асосида ортади:
Nv
· e-
·E/kT (1)
бу ерда,
·Еv - вакансия cосил блиш энергияси; k - Больцман доимийси; Т - кристалл температураси (абсолют температура).
Германий ва кремний кристалл панжараларида мувозанатли вакансиялар концентрацияси хона температурасида 1013-1014 м-3 ни ташкил этади ва унинг миKдори температура, шунингдек киришмалар концентрацияси ва панжара нуKсонлари ортиши билан ортади. Масалан, кремнийда 1100-12000С температураларда, термодинамик мувозанат шароитларида, Nv=1021ч1024 м-3.
Вакансиялар концентрацияси ~5
·1025 м-3 га етганда (яъни вакансиялар миKдори тугунлар миKдорининг 10-3 % Kисмига яKинлашганда) кристалл эрий бошлайди.
Агар диффузия жараёнида атомларнинг тартибсиз cаракати туфайли концентрация градиенти ортади деб Kарасак, модда сиртига тик йналишда бирлик юзадан бирлик ваKт ичида тадиган диффузияланувчи атомлар оKими Kуйидаги тенглик билан ифодаланади:
F = - D grad N (2)
бу ерда, F - диффузияланувчи модда атомлари оKими; D - модда атомларининг диффузия коэффициенти, см2/сек.; N - модда атомлари концентрацияси, см-3.
Тенгликдаги манфий ишора диффузиянинг киришмалар концентрацияси камайиши йналишида блаётганини билдиради. Агар диффузияланувчи модда атомлари концентрацияси бир йналиш бйича згарса, у cолда (2) тенглик Kуйидаги кринишни олади:
F = -D
· (N/(x (3)
бу ерда, (N/(x - диффузияланувчи киришманинг концентрация градиенти. (2)- ва (3)-ифодалар Швейцариялик физик олим Фик томонидан идеал газ ва Kоришмаларда диффузия жараёнини ифодалаш учун таклиф Kилинган эди. Кейинчалик бу ифода KаттиK жисмлардаги диффузия жараёнини ифодалаш учун cам ринли эканлиги исботланди. Ушбу (2)-ифода Фикнинг биринчи Kонуни деб юритилади. Ушбу тенгликнинг маъноси Kуйидагича: диффузия жараёни вужудга келиши учун албатта концентрация градиенти ортиши керак.
Фикнинг иккинчи Kонуни диффузия йналишига тик блган ихтиёрий текисликга кириб борган киришмаларнинг тпланиш тезлигини аниKлайди:
(N/(t = D (2N/(x2 (4)
ЮKоридаги ифодаларда диффузия коэффициенти киришманинг концентрациясига боCлиK эмас, деб cисобланади. Фикнинг иккинчи Kонуни барча диффузия жараёнлари учун муcим аcамиятга эга ва шунинг учун cам улар диффузия тенгламалари деб аталади.
Диффузия коэффициенти D асосий катталиклардан бири cисобланади. Ушбу катталик киришмавий атомларнинг боCланиш энергиясига, кристаллдаги вакансиялар миKдорига, кристалл панжара доимийсига ва бошKа бир Kанча катталикларга боCлиK блади. JаттиK жисмларда диффузия коэффициентини аниKлашда газлар учун чиKарилган диффузия коэффициенти ифодасидан фойдаланилади. ФаKат газлардан фарKли равишда кристалларда атомларнинг элементар кчиши кристалл панжара доимийси а орKали ифодаланади (3-расм).
13 EMBED PBrush 1415
3-расм.
Шунинг учун cам кристалларда диффузия коэффициенти Kуйидагича ифодаланади:
D = K0 a2/( (5)
бу ерда, Kо - кристаллнинг тузилиши ва диффузия механизмига боCлиK блган коэффициент.
bажмий марказлашган кубсимон панжара учун диффузия бш тугунлар (вакансиялар) бйича амалга ошаётган блса, Kо = 1/8 га, тугунлараро амалга ошаётган блса Kо = 1/24 га тенг блади.
Бирор мувозанат cолатда атомнинг туриши мумкин блган ртача ваKт:
( = (о
· ехр((Е/kТ)
бу ерда, (о - кристалл панжара тугунларидаги атомларнинг хусусий тебраниш даври орKали аниKланувчи (~10-3 с) доимий.
(5) ифодани cисобга олган cолда диффузия коэффициенти учун Kуйидаги тенгламани ёзиш мумкин:
D = Dо
· ехр(-(Е/kТ) (6)
бу ерда, Dо = Kо а2/tо.
(6) ифодада, (Е - диффузиянинг фаолланиш энергияси, яъни атомнинг кристалл панжарада бир бирликка сакраши учун керак блган энергия; k - Больцман доимийси (k = 8,6.10-5 эВ/град).
(6) ифода киришмавий атомларнинг кристалл панжаранинг вакансиялари cамда тугунлари бйича здиффузияси ва диффузияси учун ринлидир. Демак, диффузия коэффициенти берилган концентрация градиентидаги модда атомлари оKими зичлиги катталигини аниKлайди. Яримтказгичларда киришмавий атомлар диффузияси тезлиги уларнинг чегаравий эрувчанлигига тескари пропорционалдир. Одатда киришмавий атомларнинг тугунлараро диффузия тезлиги панжара вакансиялари бйича диффузия тезлигидан анча юKоридир. JаттиK жисмларда температура ортиши билан диффузия коэффициенти экспоненциал Kонунга мувофиK кескин ортиб кетади.
Фик Kонунлари асосида аниKланган диффузия коэффициенти орKали, шунингдек берилган бошланCич ва чегаравий шартлар ёрдамида Kуйидаги масалаларни ечиш мумкин:
1. Киришмавий атомлар таKсимотини аниKлаш.
2. Киришмавий атомлар концентрациясини аниKлаш.
3. Диффузияланувчи киришмавий атомлар эрувчанлигини аниKлаш.
Мисол сифатида турли чегаравий шартлар орKали киришмалар концентрациясининг таKсимоти учун тенгламалар ечимини криб чиKамиз.
I. Чексиз манбадан диффузия
Агар диффузия жараёнида яримтказгич Kатламидан унинг cажмига кираётган киришма миKдори, яримтказгич юзасига келаётган киришма миKдорига тенг блса, бундай манба чексиз манба (4-расм) деб аталади.
Ушбу cолда яримтказгич кристаллдаги киришманинг бошланCич концентрацияси нолга тенг блади ва (3) тенглама ечими Kуйидаги кринишда блади:
N(x, t)=N0(1-erf x/2 (Dt) (7)
N(0, t)=N0; N(x,0)=N0
бу ерда, erf - Гаусс хатоликлар функциясининг (erf – «error function») KисKача ифодаси:
erfZ = 2/(x (exp(-t2)dt
(8) тенглама ечимини Kуйидагича ифодалаш cам мумкин:
N(x, t)=N0erfc x/2(Dt) (8)
бу ерда, erfсZ=1-erfZ - хатоликларнинг Kшимча функцияси блиб (erfc – «error function complement”), одатда унинг ва erf функциянинг Kийматлари маълумотномаларда график ва жадваллар кринишида берилган блади. ЮKоридаги, (8) ифодада:
N0(x, t) - сиртдаги киришма концентрацияси (см-3);
N(x, t) - сиртдан х масофадаги киришма концентрацияси (см-3);
D - диффузия жараёни температурасидаги киришманинг диффузия коэффициенти (см2·сек-1).
13 EMBED MSPhotoEd.3 1415
4-расм. Чексиз манбадан легирлаш таKсимоти. Диффузия жараёни бошлангандан снг t ваKт давомида яримтказгичга кирган киришма миKдори Kуйидагича ифодаланади:
Q = (F(x,t)dt = N0. 2(Dt/(( (9)
Яримтказгичга кирган диффузант миKдори сиртдаги киришма концентрациясига тCри пропорционал эканлиги ва Kиздириш ваKти ортиши билан киришма миKдори cам ортиши ушбу ифодадан криниб турибди. Чунки диффузия коэффициенти ва яримтказгичга кирган киришма миKдори температурага кучли боCлиKдир.
Агар яримтказгичнинг cажмида киришманинг бошланCич концентрацияси cисобга олинмас даражада кичик блса, киришманинг сиртий концентрацияси эса N0, атом/см3 блса ва у доимий саKланса, унда:
N(x, t) = N0
·(1-erf 13 EMBED Equation.3 1415) (10)
Ушбу (10) ва (8) ифодаларга мос равишда киришма концентрациясининг диффузия жараёнидан снг яримтказгич Kалинлиги бйича згариши 5а-расмда (яримлогарифмик координаталарда) ва 5б-расмда (чизиCий координаталарда) тасвирланган.
13 EMBED MSPhotoEd.3 1415
5-расм. Киришма концентрациясининг Kалинлик бйича згариши (а - яримлогарифмик координаталарда)
ва (б - чизиCий координаталарда).
Агар киришмавий элементнинг яримтказгич cажмидаги концентрацияси бир хил, яъни N1, аммо нисбатан кичик блса, айнан шу киришмавий элементнинг диффузияси учун сиртий концентрация N0 блган cолатда намуна Kалинлиги учун Kуйидаги киришмавий таKсимотни оламиз:
N(x, t) = N1 + (N0- N1) (1-erf 13 EMBED Equation.3 1415) (11)
Транзисторнинг эмиттери ва базасини олиш жараёнида бир босKичли диффузияни амалга оширишда ушбу cолат кп учрайди. Бундай диффузия одатда кремний сиртида “шишасимон манба”дан (фосфор ва бор силикатлари) амалга оширилади. Jлланиладиган шишасимон Kатлам диффузия жараёнининг давомийлигига боCлиK блмаган cолда, сиртий N0 концентрациянинг доимийлигини таъминлайди.
Агар n-тур киришмаларнинг диффузияси бошланCич концентрацияси N1 блган p-тур яримтказгичда ёки аксинча, амалга ошаётган блса, p-n тишга N(x, t) = N1 муносабат мос келади, яъни:
N0 (1-erf 13 EMBED Equation.3 1415) = N1 (12)
p-n тишнинг чегарасига мос келувчи xj катталик cисоблаб топилиши ёки 6-расм ёрдамида таcминий тарзда аниKланиши мумкин.
13 EMBED MSPhotoEd.3 1415
6-расм. N1/ N0 нисбатнинг турли Kийматларида тиш cолатининг (Dt Kийматига боCлиKлиги. Агар ушбу структурада Kарама-Kарши тказувчанлик турига эга киришманинг такрорий диффузияси амалга оширилса, cосил бладиган иккинчи p-n тишнинг жойлашуви Kуйидаги муносабат орKали аниKланади:
N13 EMBED Equation.3 1415(1-erf 13 EMBED Equation.3 1415)+N1 = N0(1-erf 13 EMBED Equation.3 1415) (13)
бу ерда, N13 EMBED Equation.3 1415 - иккинчи диффузияланувчи киришманинг сиртий концентрацияси; D1t1 - иккинчи диффузияланувчи киришманинг диффузия коэффициентининг ваKтга кпайтмаси.
Баъзи cолларда диффузиянинг иккала жараёни бир ваKтда ва одатда турли температураларда боради. Диффузиянинг cар бир босKичи учун тенгламадаги Dt кпайтма cамма диффузия жараёнлари учун Dt Kийматларнинг йиCиндисини з ичига олади.
Турли cолатлар учун тиш cолатини ва концентрациявий таKсимотни аниK топиш учун узоK давом этувчи cисоблашлар амалга оширилади, аммо кпинча амалиётчи технологлар графикларни таKKослашдан иборат оддий усулдан фойдаланадилар.
II. Яримчексиз манбадан диффузия
Диффузияланувчи киришманинг exp(-z2) Kонун бйича диффузияланиши учун зарурий миKдори жуда кичик, деб cисоблаймиз. ЮKоридаги ифодада, z=-(x/213 EMBED Equation.3 1415)2. Киришманинг бундай миKдорини яримтказгич cажмига ион легирлаш орKали ёки дастлабки диффузия жараёнини сиртда кичик миKдордаги киришма манбаини cосил Kилиш учун етарлича бладиган даражада паст температурада ва KисKа ваKт давомида тказиш орKали киритиш мумкин:
Q0 = 2N01(D1t1/
·)1/2 (14)
бу ерда, Q0 - дастлабки диффузия давомида кремнийга кирувчи киришманинг миKдори, ат./см2; N01 – дастлабки диффузия температурасидаги киришманинг сиртий концентрацияси, ат./см2; D1 – дастлабки диффузия жараёни температурасидаги диффузия коэффициенти, см2/c; t1 – дастлабки диффузиянинг давомийлиги, с.
Дастлабки диффузиядан снг cосил Kилинган сиртий диффузия манбаи дастлабки диффузия температурасидан юKори блган температурада Kиздириш орKали яримтказгич cажмига cайдалади ва cосил блган киришмалар таKсимоти Kуйидагича ифодаланади, бу ерда, индексларда келтирилган “2” киришманинг манбадан cайдалиш жараёнига оиддир:
N(x, t1, t2) = 13 EMBED Equation.3 1415 (15)
ЮKоридаги (15) ифода 13 EMBED Equation.3 1415 блган cолат учун ринлидир. 7-расмда чекланган манбадан диффузия жараёни учун легирлаш профили тасвирланган.
13 EMBED PBrush 1415
7-расм. Чекланган манбадан легирлаш таKсимоти.
III. Чексиз юпKа Kатламдан диффузия
Ушбу cолда диффузияланиш фаKат кристаллда рй беради, деб cисоблаймиз. (х, 0) диффузантнинг ташKи чегараси эса Kайтаргич cисобланади. Бундай тизимга SiO2 оксид Kатлами билан Kопланган кремнийдаги киришмаларнинг юпKа сиртий Kатламдан cажмга рй берадиган диффузиясини мисол Kилиб крсатиш мумкин. Бунда оксид Kатлами Kайтарувчи чегара cисобланади, чунки киришманинг бу Kатламдаги диффузия коэффициенти кремнийдагига нисбатан бир неча бор кичикдир. Ушбу cолда кремний cажмидаги киришмалар таKсимоти экспоненциал Kонун бйича ифодаланади:
N(x, t) = Q0 . exp(-x2/4Dt)/2
·(Dt (16)
бу ерда, Q0 = 2N0(D(/()1/2; Q0 - киришма миKдори; N0 - сиртдаги киришмалар концентрацияси. (10)-тенгламанинг график ечими 8-расмда келтирилган.
13 EMBED PBrush 1415
8-расм. Чексиз юпKа манбадан яримчегараланган жисмга
диффузияда киришманинг таKсимоти.
Диффузия тказиш усуллари
Диффузия жараёни одатда етарлича маKсадли чегараланган температуралар оралиCида олиб борилади. Масалан, кремний учун бу оралиK, икки босKичли диффузия жараёнида 1000-13000С га тенг. 10000С дан кичик температураларда диффузия коэффициенти Kиймати ва диффузия чуKурлиги жуда кичик блади. 13000С дан юKори температураларда эса диффузияланувчи Kатламлар сифати бузилади.
Бирор берк cажмга яримтказгич пластинкаси билан киришмавий моддани жойлаштирамиз ва уларни маълум бир температурагача Kиздирамиз. Jиздириш натижасида киришмавий модда буCланади ва берк cажмда киришмавий буCларнинг парциал босими cосил блади. БуC молекулалари бутун cажм юзасига, шу билан бирга пластинка сиртига абсорбцияланади.
Етарлича юKори температурада буCланган атомларнинг яримтказгич пластинкаси cажми бйлаб диффузияси бошланади. Маълумки, умумий cолда мувозанатий концентрация буC босимига пропорционал блади, шунинг учун cам сиртдаги концентрацияни бошKариш буC босимини назорат Kилиш орKали амалга оширилади. 9-расмда даврий системанинг III ва V гуруc элементлари буC босимларининг температурага боCлиKлиги крсатилган.
Диффузия жараёнлари очиK ва ёпиK Kувурларда олиб борилади. Агар диффузиявий Kувурнинг чиKишлари ташKи муcит билан алоKада блса, бундай Kувур очиK Kувур cисобланади.
13 EMBED MSPhotoEd.3 1415
9-расм. Даврий системанинг III ва V гуруc элементлари буCлари босимининг температурага боCлиKлиги.
Ушбу Kувур орKали диффузия тказиладиган соcага кремний пластинкалари жойлаштирилади (10-расм). Jувур ичидаги cавонинг ифлосланиши жуда кичик блиши учун Kувур сиртида срувчи тирKиш очилган. Диффузиявий Kувурнинг кириш тирKиши орKали газсимон ташигичлар киритилади (азот, аргон ёки кислород).
Агар диффузия жараёни ёпиK найчада тказилса, бундай Kувур ёпиK Kувур cисобланади. Ушбу cолда яримтказгич пластинаси ва киришма манбаи кварц найчага киритилади. Снгра 10-5(10-4 мм. сим. устунига тенг вакуум cосил Kилиниб, бутун тизим диффузиявий Kиздиргичларга жойлаштирилади.
Диффузант манбани KаттиK ёки газсимон cолатларда кремний сиртидан унинг cажмига киритилиши мумкин.
13 EMBED MSPhotoEd.3 1415
13 EMBED MSPhotoEd.3 1415
10-расм. ЁпиK cажмда (а) диффузия жараёни схемаси ва икки зонали Kиздиргичда (б) температуранинг таKсимоти.
13 EMBED MSPhotoEd.3 1415
11-расм. ОчиK Kувурда диффузиявий жараёнларни
тказиш схемалари.
Диффузия жараёни одатда икки босKичда олиб борилади. Биринчи босKичда кремний сиртида етарлича юпKа диффузия Kатлами cосил Kилинади. Ушбу босKич диффузия тказиладиган температурадан паст температурада олиб борилади. Иккинчи босKичда кремний пластинаси киришмалардан холис блган атмосфера муcитида Kиздирилади. Шунинг учун cам ушбу босKичда сиртдаги киришма Kатлами фаKат диффузияланиб таKсимланади. Иккинчи босKич эса чекланган киришма манбаидан диффузияланиш жараёнига мос келади.
Легирловчи элемент сифатида олинадиган киришма ва киришма манбаи Kатор шартларни Kаноатлантириши лозим:
1. Танланган киришманинг яримтказгичдаги чегаравий эрувчанлиги жуда юKори блиши зарур. Кремний учун юKори эрувчанликка эга донор киришма - арсений билан фосфор блса, акцептор киришма - бор cисобланади (12-расм).
13 EMBED MSPhotoEd.3 1415
12-расм. III ва V гуруc элементларининг кремнийдаги эрувчанлиги.
2. Танланадиган киришма манбаи яримтказгич сирти билан таъсирлашганда диффузия жараёнини Kийинлаштирувчи мураккаб бирикмаларни cосил Kилмаслиги зарур.
3. Киришма манбаи яримтказгич сиртини ифлосламаслиги зарур. Бунинг учун у юKори даражадаги тозаликка эга блиши керак.
Диффузия жараёнини тказишда KаттиK, суюK ёки газ кринишидаги киришма манбаидан фойдаланилади.
Фосфор манбаи сифатида KаттиK cолатдаги фосфор ангидриди (Р2О5) ва алюминий фосфатларини (NH4H2PO4, (NH4)2HPO4) cуюK cолатда хлороксид фосфорни (РОСl3), газ cолатида эса фосфинни (РН3) Kллаш мумкин.
Бор манбаи сифатида эса KаттиK cолатдаги бор ангидриди (В2О5) ва бор кислотаси (Н3ВО3), суюK cолатда бор уч бромиди (ВВr3), газ cолатида бор уч хлориди (ВСl3) ва диборанни (В2Н6) Kллаш мумкин.
Диффузия жараёнида электрон-ковак тишларни
cосил Kилиш асослари
13 EMBED MSPhotoEd.3 1415
13-расм. БошланCич донор киришманинг ND бир текис концентрациясига эга яримтказгичга диффузия натижасида акцептор киришма концентрациясининг NA таKсимоти.
Киришмаларнинг диффузияси натижасида олинадиган
яримтказгич структуралар
13 EMBED PBrush 1415
14-расм. Донор киришманинг бошланCич N0D концентрациясига эга яримтказгичга донор ND ва акцептор NA киришмаларнинг бир ваKтда диффузияси натижасидаги концентрацияларининг таKсимоти.
13 EMBED MSPhotoEd.3 1415
15-расм. Донор ва акцептор киришмалар концентрациялари
ND - NA фарKининг масофадан x сиртгача боCланиши.
13 EMBED PBrush 1415
16-расм. Киришмаларнинг кремнийга диффузиясида
олинган p-n тиш.
13 EMBED PBrush 1415
17-расм. Киришмаларнинг диффузиясида кремнийда p-n тиш олиш жараёнларининг кетма-кетлиги.
Назорат саволлари
1. «Диффузия» атамаси нимани англатади?
2. Диффузия усулининг ютуKлари ва камчиликлари cаKида маълумот беринг.
3. JаттиK жисмларда диффузия cодисаси деб нимага айтилади?
4. Яримтказгичларда диффузия механизмлари cаKида маълумот беринг.
5. Шоттки ва Френкель нуKсонлари cаKида маълумот беринг.
6. Фик Kонунларининг маъноси нималардан иборат?
7. Диффузия коэффициенти Kандай катталикларга боCлиK?
8. Фик Kонунларининг амалий тадбиCи cаKида маълумот беринг.
9. Диффузия жараёнини тказиш усуллари cаKида маълумот беринг.
10. Киришмаларнинг кремнийда диффузияси cаKида маълумот беринг.
11. р-n тиш олиш cаKида маълумот беринг.
Root Entry