Розробка факультативного заняття з фізики Напівпровідникові прилади(10 клас)

Тема: Напівпровідникові прилади
Мета заняття:
-Навчальна: познайомити учнів з будовою і принципом дії
напівпровідникових приладів,
показати їх практичне застосування; формувати політехнічні знання;
-розвиваюча: розвивати пізнавальний інтерес, вміння самостійно працювати
з підручником та додатковою літературою, логічне мислення;
-виховна: формувати науковий світогляд, вміння виступати перед аудиторією,
розвивати почуття самоповаги і поваги до товаришів, толерантність.
Форма заняття: ділова гра

Обладнання: комп’ютер, мультимедійний проектор, сонячна батарея, демонстраційний амперметр, діод, транзистор, таблиця «Застосування напівпровідникових приладів», презентація «Напівпровідникові прилади», анімація.

Наука починається із здивування.
Арістотель

План заняття:

Організаційний момент - 1 хв.
Вступне слово учителя – 2 хв.
Виступи учнів:
3.1. Терморезистор – 5 хв
3.2. Фоторезистор - 4 хв
3.3. Сонячна батарея - 8 хв
3.4. Напівпровідниковий діод - 4 хв
3.5. Транзистор - 5 хв
3.6. Напівпровідникові датчики - 3 хв
3.7.Флеш-пам’ять - 3 хв
3.8. Використання напівпровідників в промисловості і сільському господарстві- 5 хв
Підведення підсумків заняття – 5 хв

Хід заняття:

Учитель. Сучасний світ неможливо уявити собі без мініатюрних напівпровідникових приладів. Вони скрізь – в пристроях для запису і читання штрих-кодів і компакт-дисків, в волоконно-оптичних лініях зв’язку, в радіотелефонах і т.д. Поява напівпровідникових приладів суттєво вплинула на розвиток науки і техніки, різних галузей промисловості, сільського господарства.
Шановні колеги! Сьогодні ми з вами присутні на розширеному засіданні науково-дослідницького інституту, який займається проблемами створення й удосконалення напівпровідникових приладів. Провідні фахівці познайомлять нас з деякими приладами,
їх будовою, принципом дії, можливостями практичного застосування.
До слова запрошується науковий співробітник інституту .
1 учень . Повідомлення про терморезистори (додаток 1).
Учитель. Слово надається інженеру – конструктору ...
2 учень. Повідомлення про фоторезистори (додаток 2).
Учитель. Слово надається спеціалісту відділу альтернативних джерел енергії ...
3 учень. Повідомлення про сонячну батарею (додаток 3).
Учитель. Слово має інженер-технолог .
4 учень. Повідомлення про напівпровідниковий діод (додаток 4).
Учитель. Слово надається керівнику відділу .
5 учень Повідомлення про транзистор (додаток 5).
Учитель. Слово надається провідному спеціалісту відділу ...
6 учень. Повідомлення про напівпровідникові датчики (додаток 6).
Учитель. До слова запрошується інженер відділу інформаційних технологій ...
7 учень. Повідомлення про флеш-пам’ять (додаток 7).
Учитель. Слово надається інженеру з маркетингу ..
8 учень. Повідомлення про застосування напівпровідникових приладів на виробництві і в сільському господарстві.
Учитель. Шановні колеги! На цьому засіданні ми познайомилися з напівпровідниковими приладами, їх застосуванням на виробництві і в сільському господарстві. Дякую всіх учасників за цікаві доповіді.
Наше заняття сьогодні - це лише маленьке віконце в світ напівпровідникових приладів.
На одному з наступних занять ми будемо знайомитися з інтегральними схемами, які містять десятки тисяч транзисторів і інших елементів.
Домашнє завдання: підготувати повідомлення про історію створення ЕОМ.

Додаток 1
Терморезистори

Залежність питомого опору напівпровідників від температури широко використовується для вимірювання температур, автоматичного регулювання сили струму в різних керуючих реле тощо. Прилади, дія яких грунтується на використанні значної залежності опору напівпровідників від температури, називаються терморезисторами або термісторами.
Для виготовлення терморезисторів використовуються напівпровідникові матеріали з високим температурним коефіцієнтом опору. Терморезистори широко використовуються в різних установках автоматики й телемеханіки, радіотехніці, термометрії тощо. Принцип дії цих установок такий. Терморезистор, опір якого значно перевищує опір інших елементів, вмикають в електричне коло пристрою. Коли в колі проходить електричний струм, його сила визначається опором терморезистора ( або його температурою). З підвищенням температури терморезистора сила струму в колі зростає і, навпаки, зі зниженням температури сила струму зменшується. (Анімація «Нагрівання напівпровідника»). Таким чином, зміни температури терморезистора впливають на зміни сили струму в колі. Ця важлива обставина дає змогу застосовувати терморезистори в різних схемах і створювати багато автоматичних пристроїв, просто й надійно здійснювати дистанційне вимірювання і регулювання температури, пожежну сигналізацію, контроль за температурним режимом працюючих машин і механізмів тощо.
Для прикладу розглянемо принцип будови установки для регулювання температури в певних межах (наприклад, в термостатах, інкубаторах тощо). Схему такої установки показано на малюнку.(Презентація) Повітря в приміщенні нагрівають за допомогою електричного нагрівника, увімкнутого в мережу через контакти електромагнітного реле К і Я. і Під час нагрівання повітря нагрівається і терморезистор, що веде до зменшення його опору і зростання сили струму, який проходить в обмотці реле Р. У разі досягнення певної сили струму реле спрацьовує – рухомий контакт відходить від нерухомого, коло нагрівника розривається і повітря в приміщенні починає охолоджуватися. Із зниженням температури до певного значення опір терморезистора знову зростає і електромагнітне реле «відпустить» рухомий контакт – коло нагрівника замкнеться. Добираючи відповідний терморезистор, нагрівник і електромагнітне реле, можна створити терморегулятор для потрібних режимів експлуатації.

Додаток 2
Фоторезистори
Залежність опору напівпровідників від освітлення використовується в фоторезисторах (фотоопорах). Найпростіший фоторезистор – це діелектрична пластинка (Презентація), на яку нанесено тонкий шар напівпровідника. На кінцях цього шару закріплені металеві електроди, а всю систему вміщують в пластмасовий корпус з віконцем для світлових променів.(Анімація «Освітлення напівпровідника»).
Фоторезистори використовуються в різних пристроях автоматики й телемеханіки, у пристроях для відтворення оптичного запису звуку тощо. Вони дають змогу керувати на відстані виробничими процесами, автоматично відрізняти порушення нормального ходу процесу і зупиняти його в таких випадках.
На малюнку(Презентація) наведено схему фотореле з фоторезистором, за допомогою якого можна здійснювати автоматичне вмикання і вимикання маяків, освітлення вулиць міст тощо. Вдень сонячне світло освітлює фоторезистор, і від того його опір незначний. За цих умов у колі проходить струм значної сили, і якір реле притягується до осердя котушки. Коло освітлювальної лампи розімкнуте. Від настання сутінок опір фоторезистора різко зростає, сила струму в його колі зменшується майже до нуля, якір відходить від осердя і замикає коло освітлювальної лампи.
Аналогічні реле на фоторезисторах застосовуються в автоматичних лініях для підрахунку і сортування виробів масової продукції на виробництві за їх розмірами і кольором. На малюнку (Презентація) показано схему установки для сортування деталей за розмірами. З одного боку лінії конвеєра розміщене джерело світла S, а з другого – фотореле Ф, яке під час його затемнення вмикає електромеханічний скидач. Відстань від полотна лінії до світлового променя відповідає заданій висоті деталі. Якщо конвеєром рухається деталь, висота якої більша за відстань від полотна лінії до світлового променя, то, проходячи повз фоторезистор, вона перекриває світловий промінь. Реле спрацьовує, і електромеханічний скидач переміщає браковану деталь на сусіднє полотно.
Фоторезистори мають такі переваги: практично необмежений строк служби, малі розміри, простота виготовлення,висока чутливість і надійність у роботі тощо. Це зумовило їх широке застосування в різноманітних автоматичних пристроях і приладах.

Додаток 3
Сонячна батарея

Основою напівпровідникового сонячного елементу є пластина напівпровідника з p-n переходом. Його робота заснована на явищі фотоефекту, відкритому ще в позаминулому столітті Г.Герцем та дослідженому О.Г.Столетовим. Теорію фотоефекту створив А.Ейнштейн у 1905 році, за що був відзначений Нобелівською премією. Суть ефекту полягає в тому, що кванти сонячного світла з енергією, більшою ніж ширина забороненої зони напівпровідника, поглинаються в напівпровіднику і створюють пари носіїв струму: електрони в зоні провідності та дірки у валентній зоні. Для просторового розведення зарядів, а значить і виникнення електричного струму, необхідна наявність внутрішнього електричного поля у напівпровіднику. Таке поле існує в електронно - дірковому p-n переході, в контакті метал -напівпровідник, в контакті двох різних напівпровідників.
На рис.1(Презентація) схематично показано сонячний елемент з p-n переходом та напрям руху фотогенерованих носіїв заряду. Фотогенеровані в р-області електрони витягуються електричним полем в n-область, і, навпаки, фотогенеровані в n-області дірки витягуються електричним полем в р-область. На омічних контактах виникає різниця потенціалів, яка називається напругою холостого ходу. Якщо закоротити контакти, то через сонячний елемент потече струм короткого замикання . Для того, щоб елемент віддавав енергію в зовнішнє коло, до його контактів підєднують навантаження, яке має електричний опір. Тобто сонячний елемент виконує роль помпи, яка перекачує електрони в напрямку n-область - зовнішнє навантаження - р-область.
Найбільш широкого застосування набули сонячні елементи на основі кремнію. Максимальний коефіцієнт корисної дії становить 29%.
Домінуюча позиція кремнієвої технології у промисловій сонячній енергетиці (90% світового виробництва сонячних елементів) визначає сучасні тенденції науково-технічного розвитку цієї галузі. Перевагами кремнієвої технології є достатня наявність кремнію у природі, його хімічна стабільність і відсутність будь-якого токсичного впливу на людей і навколишнє середовище, сумісність технології кремнієвих сонячних елементів і базових процесів мікроелектроніки.
Чому ж ефективність сонячних елементів менша 100%? По-перше, не всі пари носіїв струму можуть бути розведені полем. Деякі з них можуть рекомбінувати в результаті переходу збудженого електрона із зони провідності у валентну зону. По-друге, кванти світла з енергією меншою ширини забороненої зони, не поглинаються напівпровідником і не беруть участі у фотоелектричному процесі. По-третє, електрони і дірки, збуджені квантами світла з енергією, значно більшою ніж ширина забороненої зони, за дуже короткий час віддають надлишок енергії і опускаються до дна зони провідності (електрони) чи піднімаються до вершини валентної зони (дірки). Надлишкова енергія при цьому йде не на створення струму в зовнішньому колі, а на підвищення температури напівпровідника.
Яку ж електричну енергію можна отримати від сонячного елементу? Це визначається як умовами освітлення, так і характеристиками сонячного елементу. На рис.2 (Презентація) подано фотографію типового промислового сонячного елементу на монокристалічному кремнію. Такий елемент має потужність 1,45Вт. Проте такий рівень освітлення існує лише на малих широтах влітку, у полудень при ясному небі.
( Демонстрація сонячної батареї).
Для зменшення можливих електричних втрат при проходженні такого великого струму лицева сторона елемента покривається електропровідною металевою плівкою. Її звичайно роблять у вигляді гребінки (рис.2) для того, щоб сонячне світло пройшло крізь металевий контакт без втрат та поглинулося у напівпровідниковому матеріалі. Для зменшення втрат сонячного світла на оптичне відбивання від поверхні напівпровідника n- область часто текстурують (наприклад, витравлюють спеціальні піраміди мікронних розмірів) та покривають антивідбиваючим шаром діелектрика. Тобто реально конструкція сонячного елементу більш складна, ніж та, що показана на рис.1.
Для практичного використання напівпровідникової сонячної енергетики для живлення навіть малогабаритної радіоапаратури одного сонячного елемента замало – у нього недостатня напруга за загальна вихідна потужність. Тому із окремих сонячних елементів збирають сонячні батареї (фотомодулі). Типова батарея номіналом 50 Вт складається із 36 послідовно з’єднаних сонячних елементів 100х100 ммІ. Така батарея в робочій точці розвиває 17 В при струмі 3 А при освітленні 100 мВт/смІ (рис.3).
З’єднуючи такі фотомодулі, можна створювати електричні станції різної потужності, від декількох кіловатт до декількох мегаватт. На рис.4 ( Презентація) дано принциповий вигляд установки для живлення побутової техніки в котеджі. Окрім сонячних батарей, які розміщують на фасаді чи на даху котеджу, до установки входить також ще два важливих прилади - хімічні акумулятори та регулятор - перетворювач. Вдень сонячні батареї живлять як електричні прилади, так і заряджують акумулятори. Вночі та в умовах недостатнього рівня освітлення джерелом живлення є виключно акумулятори. Регулятори-перетворювачі потрібні для автоматичного керування процесами зарядки-розрядки акумуляторів, перемикання навантаження сонячна батарея - акумулятор та для узгодження вихідної напруги батареї з номіналом апаратури.
Оцінки показують, що навіть в умовах середніх широт для невеликого котеджу вистачить батареї з потужністю в 2 кВт, яка може бути легко розміщена на даху, оскільки займає площу всього 20 мІ. Така батарея вироблятиме за рік 2200-2800 кВт.год електрики, що задовольнить енергетичні потреби сім’ї на 3-4 чоловіка.
Серед інших застосувань сонячної енергетики відзначимо: в системах телекомунікації та зв’язку (ретранслятори, телеметрія); для забезпечення електроенергією навігаційних вогнів, бакенів, дорожніх знаків, освітлення автошляхів в нічний час; для антикорозійного захисту металевих конструкцій та трубопроводів; у віддалених не електрифікованих оселях для живлення побутових приладів; в системах охоронної сигналізації; в сільському господарстві та засушливих районах для добування та подачі води; створення мережі автоматичних постів, обладнаних різними датчиками для моніторингу навколишнього середовища, тощо. Нарешті, в космічних апаратах та штучних супутниках сонячні батареї грають винятково важливу роль в системах живлення бортової апаратури.
Застосування сонячних батарей в наведених вище випадках (в засобах зв’язку, на транспорті, у побуті, сільському господарстві, для екологічного контролю) виправдано не стільки кількістю виробленої ними електроенергії, скільки появою нових можливостей, покращанням якості процесів, які вже використовуються. Крім того, термін роботи сонячних елементів практично необмежений і може складати десятки років.
Сонячна енергетика могла б частково вирішити енергетичні проблеми України, особливо по енергопостачанню віддалених неелектрифікованих осель, а в умовах нестабільного електропостачання, відключення електроенергії такі установки забезпечували б безперебійне електропостачання. В сільському господарстві, особливо присадибному, тепличних виробництвах, сонячні батареї могли б забезпечувати подачу води за допомогою насосів та полив рослин, а в тваринництві у посушливих районах - подачу води для тварин. Системи сонячних батарей з хімічними акумуляторами є практично єдиними економічно придатними для живлення апаратури в умовах відсутності мережі центрального енергопостачання; в гірських районах Карпат та Криму, на польових станах, пасовиськах, тощо, тобто в умовах, коли створювати та використовувати мережу центрального енергопостачання нерентабельно чи небезпечно для здоров’я людини.
Економіка України має відповідні потужності з виробництва необхідних компонентів та створення інфраструктури такої енергетики. Виробничі можливості тільки таких гігантів мікроелектроніки, як виробничі об’єднання «КВАЗАР», «ІРВА» (м. Київ), «Гравітон» (м. Чернівці), «Хартрон» (м. Харків), «Гамма» і «Електроавтоматика» (м. Запоріжжя), «Дніпро» (м. Херсон), «Позитрон» (м. Івано-Франківськ) дозволяють проводити повний технологічний цикл створення сонячних елементів.

Додаток 4
Напівпровіднико
·вий діо
·д
Напівпровіднико
·вий діо
·д це напівпровідниковий прилад з одним випрямним електричним переходом і двома зовнішніми виводами.
Випрямним електричним переходом в напівпровідникових діодах може бути електронно-дірковий перехід, гіперперехід або контакт метал напівпровідник.
Випрямний перехід крім ефекту випрямлення має й інші властивості, що використовуються для створення різних видів напівпровідникових діодів: випрямних діодів, помножувачів, модуляторів, стабілітронів, лавинно-пролітних діодів, тунельних діодів, варикапів та інших. Тому за призначенням напівпровідникові діоди поділяють на випрямні, високочастотні та надвисокочастотні, імпульсні, опірні (стабілітрони), чотиришарові перемикаючі, фотодіоди, світлодіоди, тунельні діоди та інші.
Види напівпровідникових діодів
Загалом, механізм односторонньої провідності у діоді однаковий, проте для його створення можна використовувати не лише виключно напівпровідники, а й метали.
Напівпровідник-напівпровідник
Якщо зплавити напівпровідники з різними типами провідності (n- та p-провідністю), то на межах їх стику утворюється p-n перехід - вільні електрони з області напівпровідника з n-провідністю рекомбінують з "дірками" напівпровідника з p-провідністю. Утворюється нейтральний шар, який розділяє дві області з електричними зарядами. Утворюється різниця потенціалів. Якщо подати напругу негативним знаком на n-область та позитивним на n-область, то електрони будуть здатні подолати нейтральний бар'єр і у діоді утвориться струм (одностороння провідність). Якщо подати напругу позитивним знаком на n-область та негативним на p-область, то нейтральний шар розшириться (як вакуумний) та струм протікати не буде. (Анімація «Робота напівпровідникового діода»).

Метал-напівпровідник
Якщо методом катодного розпилення або вакуумного осадження на очищену зону напівпровідника нанести метал, то утвориться з’єднання метал-напівпровідник. Робота виходу електронів з металу значно більша, ніж у напівпровідника. Тому утвориться різниця робіт виходу та різниця потенціальних бар’єрів. Це зумовить перехід електронів із напівпровідника до металу та відсутності переходу електронів із металу до напівпровідника. Це створить різницю потенціалів, і подальший механізм односторонньої провідності обумовлюватиметься механізмом односторонньої провідності діода.
Напівровідникові діоди застосовуються в схемах перетворення змінної напруги у постійну, в схемах захисту, логічних елементах та інтегральних схемах.

Додаток 5
Транзистор

Транзи
·стор - напівпровідниковий пристрій, який дозволяє керувати струмом, що протікає через нього, за допомогою прикладеної до додаткового електрода напруги.
У 50-х та 60-х роках 20 ст. транзистори швидко витіснили вакуумні лампи майже з усіх областей застосування завдяки своїй компактності, технологічності, довговічності та можливості інтегрування у великі й надвеликі електронні схеми.
У 1956 році Бардін, Шоклі і Браттейн отримали за винахід транзистора Нобелівську премію.
Транзистори є основними елементами сучасної електроніки. Зазвичай вони застосовуються в підсилювачах і логічних електронних схемах. У мікросхемах в єдиний функціональний блок об'єднані тисячі й мільйони окремих транзисторів. (Презентація)
За будовою та принципом дії транзистори поділяють на два великі класи: біполярні транзистори й польові транзистори. До кожного з цих класів входять численні типи транзисторів, що відрізняються за будовою і характеристиками.
Транзистори розрізняються також за матеріалом, за максимальною потужністю, максимальною чаcтотою, за призначенням, за типом корпуса.
Найпоширеніший напівпровідниковий матеріал для виробництва транзисторів - кремній. Використовуються також германій, арсенід галію та інші бінарні напівпровідники.
1. Принцип дії біполярного транзистора
В біполярному транзисторі носії заряду рухаються від емітера через тонку базу до колектора. База відділена від емітора й колектора p-n переходами. Струм протікає через транзистор лише тоді, коли носії заряду інжектуються з емітера в базу через p-n перехід. В базі вони є неосновними носіями заряду й легко проникають через інший p-n перехід між базою й колектором, прискорюючись при цьому. В самій базі носії заряду рухаються за рахунок дифузійного механізму, тож база повинна бути досить тонкою. Управління струмом між емітером і колектором здійснюється зміною напруги між базою і емітером, від якої залежать умови інжекції носіїв заряду в базу.
Біполярні транзистори розрізняються за полярністю: вони бувають PNP та NPN типу. Середня літера в цих позначеннях відповідає типу провідності матеріалу бази.
(Презентація)

2. Принцип дії польового транзистора
В польовому транзисторі струм протікає від витоку до стоку через канал під затвором. Прикладена до затвору напруга збільшує чи зменшує ширину області збіднення, а тим самим ширину каналу, контролюючи струм.
Польові транзистори розрізняються за типом провідності в каналі: на P-канальні (основний тип провідності - дірковий) та N-канальні - основний тип провідності електронний. (Презентація)
Серед польових транзисторів найбільш поширені транзистори типу метал-оксид-напівпровідник, які можуть використовувати або область збагачення або область збіднення.
3. Характеристики
Оскільки транзистор має три виводи, для кожного із струмів транзистора існує сімейство вольт-амперних характеристик при різних значеннях напруги на третьому контакті, або струму, який протікає через нього.(Презентація)
У багатьох застосуваннях важливі частотні характеристики транзисторів - швидкість перемикання між різними станами.
4. Застосування
Транзистор має два основних застосування: у якості підсилювача й у якості перемикача.
Підсилювальні властивості транзистора зв'язані з його здатністю контролювати великий струм між двома електродами за допомогою малого струму між двома іншими електродами. Таким чином малі зміни величини сигналу в одному електричному колі можуть відтворюватися з більшою амплітудою в іншому колі.
Використання транзистора у якості перемикача пов'язане з тим, що приклавши відповідну напругу до одного з його виводів, можна зменшити практично до нуля струм між двома іншими виводами, що називають запиранням транзистора. Цю властивість використовують для побудови логічних вентилів.
5. Корпусування й монтаж
Корпуси транзисторів виготовляються з металу, кераміки або пластику. Для транзисторів великої потужності необхідно додаткове охолодження.
Транзистори монтуються на друкованих платах або за технологією через отвір або поверхневого монтажу. При технології через отвір виводи транзисторів вставляються в попередньо просверлені в платі отвори. Корпуси транзисторів стандартизовані, але послідовність виводів ні, вона залежить від виробника.

Додаток 6
Напівпровідникові датчики
Сучасні промислові підприємства - це дуже складні технічні структури. Вчасно відстежити, обробити, проаналізувати всю інформацію стає дедалі складніше. На допомогу людям приходять мініатюрні напівпровідникові датчики.
Напівпровідникові датчики температури застосовуються для вимірювання температури повітря і інертних газів, рідини, поверхні великогабаритних виробів або труб, наприклад, в системах гарячого водопостачання і інших робочих середовищ, хімічно неагресивних і не руйнуючих матеріал захисної арматури термоперетворювача.
Датчики температури використовуються тоді, коли відстань від точки контролю температури до приладу дуже велика і може досягати 1000 м, а також коли використовуються універсальні прилади - контролери з вхідним сигналом силою струму від 4 до 20 мА.
В різних системах літака і двигуна газ або рідина знаходяться під певним тиском, значення якого потрібно знати для нормальної експлуатації цих систем. Також під час польоту дуже важливо мати інформацію про швидкість руху, висоту польоту, які визначаються по повному і статичному тиску повітря. В таких системах невід’ємною частиною є датчики тиску. (Презентація)

Додаток 7
Флеш-пам’ять

Флеш-пам’ять різновид напівпровідникової енергонезалежної пам’яті.
(Презентація)
Вона може бути прочитана багато разів, але писати в таку пам’ять можна лише обмежену кількість разів . Поширена флеш-пам’ять, яка витримує 100 тисяч циклів перезапису набагато більше , ніж здатна витримати дискета або CD-RW.
Завдяки компактності, низькому енергоспоживанню і дешевизні флеш-пам’ять широко використовується в цифрових портативних пристроях фото- і відеокамерах, диктофонах, MP3-плеєрах, карманних персональних комп’ютерах, мобільних телефонах, а також смартфонах і коммунікаторах. Крім того, вона використовується для зберігання програмного забезпечення в різних пристроях (маршрутизаторах, міні-АТС, принтерах, сканерах, модемax).
Флеш-пам’ять зберігає інформацію в масиві транзисторів з плаваючим затвором, які називають ячейками .
Транзистор має два затвори: керуючий і плаваючий. При програмуванні напругою на керуючому затворі створюється електричне поле і виникає тунельний ефект. Деякі електрони проходять через шар діелектрика і попадають на плаваючий затвор, де і будуть перебувати. Заряд на плаваючому затворі змінює «ширину» і провідність канала , що і використовується при читанні.
Програмування і читання ячеєк дуже відрізняються в електроспоживанні: пристрої флеш-пам’яті використовують досить велику силу струму при записуванні, тоді як при читанні затрати енергії малі.
Флеш-пам’ять найбільше відома застосуванням в USB флеш-накопичувачах .
Завдяки великій швидкості, об’єму і компактним розмірам USB флеш-накопичувачі повністю витіснили з ринку дискети. Наприклад, компанія Dell с 2003 року припинила випуск комп’ютерів з дисководом гнучких дисків.
Зараз випускається широкий асортимент USB флеш-накопичувачів різних форм і кольорів. На ринку є флешки з автоматичним шифруванням даних. Японська компанія Solid Alliance навіть виробляє флешки у вигляді їжі.
На флеш-пам’яті також грунтуються карти пам’яти, такі як Secure Digital (SD) і Memory Stick, які активно використовуються в портативній техниці (фотоапаратах, мобільних телефонах). Флеш-пам’ять займає більшу частину ринка переносних носіїв інформації.











13 PAGE \* MERGEFORMAT 14115




15